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公开(公告)号:CN115872347A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211188942.8
申请日:2022-09-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括埋腔的微型流体MEMS设备及其制造过程。用于制造微型流体设备的过程,其中在半导体衬底上形成牺牲层;在该牺牲层上形成承载层;选择性地移除该承载层,以形成延伸穿过该承载层的至少一个释放开口;在该至少一个释放开口中形成可渗透半导体材料的可渗透层;通过该可渗透层选择性地移除该牺牲层,以形成流体腔室;用不可渗透半导体填充材料填充该至少一个释放开口,形成具有膜区域的单片主体;在该膜区域上形成致动器元件,并且帽元件附接到该单片主体并且围绕该致动器元件。
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公开(公告)号:CN111463148A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN202010072318.6
申请日:2020-01-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor: L·塞吉齐 , L·蒙塔格纳 , G·维萨利 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开的实施例涉及制造具有改善的空间占用率的集成部件的方法以及集成部件。一种半导体材料的第一晶片具有表面。一种半导体材料的第二晶片包括衬底和在该衬底上的结构层。结构层集成了用于监测电磁辐射的检测器设备。第二晶片的结构层被耦合到第一晶片的表面。第二晶片的衬底被成形以形成微镜的定子、转子和移动质量块。定子和转子形成用于电容性地驱动移动质量块的组件。
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公开(公告)号:CN112672260B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202011112281.1
申请日:2020-10-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了一种换能器、包括换能器的MEMS设备及用于制造换能器的方法。换能器包括支撑体和机械地耦合到支撑体的悬置结构。悬置结构具有沿轴线彼此相对的第一表面和第二表面,并且被配置为在具有与轴线平行的至少一个分量的振荡方向上振荡。第一压电换能器被布置在该悬置结构的第一表面上,并且第二压电换能器被布置在该悬置结构的第二表面上。
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公开(公告)号:CN115872351A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211182729.6
申请日:2022-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于制造微机电系统(MEMS)装置的方法和相关MEMS装置。本公开涉及的用于制造MEMS装置的方法部分地包括:在半导体晶圆上形成第一牺牲电介质区域;在第一牺牲电介质区域上形成半导体材料的结构层;形成穿过结构层的多个第一开口;在结构层上形成第二牺牲电介质区域;在第二牺牲电介质区域上形成半导体材料的顶层;形成穿过顶层的多个第二开口;在顶层上形成可渗透层;选择性地去除第一和第二牺牲电介质区域;以及在可渗透层上形成半导体材料的密封层。
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公开(公告)号:CN113620233A
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202110492170.6
申请日:2021-05-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: MEMS致动器由以下部件形成:基底,围绕腔体;可变形结构,悬置在腔体上;致动结构,由第一压电材料的第一压电区域形成,由可变形结构支撑并且被配置为引起可变形结构的变形;以及检测结构,由第二压电材料的第二压电区域形成,由可变形结构支撑并且被配置为检测可变形结构的变形。
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公开(公告)号:CN117375336A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202310828917.X
申请日:2023-07-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制造用于电机的定子的方法、定子以及电机。用于电动致动器或电机的定子,包括:固体主体;铁磁芯区域,在半导体材料层之间,与半导体材料层电绝缘;多个导电通孔,穿过固体主体;第一多个导电带,在芯之上彼此平行地延伸;以及第二多个导电带,在芯之上彼此平行地延伸并且与第一多个导电带相对;其中第一多个导电带、多个导电通孔以及第二多个导电带形成定子的绕组或线圈。
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公开(公告)号:CN115403001A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210583496.4
申请日:2022-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于制造组合微机电器件的方法和对应组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括:在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构;执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔,腔处于受控压力下;形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道,以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值;以及执行第二结合阶段,之后,结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。
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公开(公告)号:CN113764567A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110539522.9
申请日:2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括:提供硅基材料层,具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面;形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件,以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件,第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面;形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件,并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子,第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。
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公开(公告)号:CN113003533A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202011518882.2
申请日:2020-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及利用抗反射表面制造具有可倾斜结构的光学微机电设备的工艺。为了制造光学微机电设备,加工具有第一表面和第二表面的半导体材料的第一晶片,以形成悬挂镜结构、围绕悬挂镜结构的固定结构、在固定结构与悬挂镜结构之间延伸的弹性支撑元件、以及耦接到悬挂镜结构的致动结构。第二晶片被单独加工,以形成由底壁界定的室,该底壁具有贯通开口。第二晶片以如下方式被接合到第一晶片的第一表面,该方式使得室覆盖在致动结构上,并且贯通开口与悬挂镜结构对准。此外,第三晶片被接合到第一晶片的第二表面,以形成复合晶片设备。该复合晶片设备然后被切割以形成光学微机电设备。
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公开(公告)号:CN112672260A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011112281.1
申请日:2020-10-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了一种换能器、包括换能器的MEMS设备及用于制造换能器的方法。换能器包括支撑体和机械地耦合到支撑体的悬置结构。悬置结构具有沿轴线彼此相对的第一表面和第二表面,并且被配置为在具有与轴线平行的至少一个分量的振荡方向上振荡。第一压电换能器被布置在该悬置结构的第一表面上,并且第二压电换能器被布置在该悬置结构的第二表面上。
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