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公开(公告)号：CN115752815A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211047207.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统。一种用于制造集成第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统MEMS的方法。第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器。制造第一MEMS器件和第二MEMS器件的步骤至少部分地彼此被共享，导致在单个裸片上的高度集成，并且允许以高产量和受控成本来实现制造工艺。
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公开(公告)号：CN115752814A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211041314.7
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
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公开(公告)号：CN115524051A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210731063.9
申请日：2022-06-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件。在半导体本体中形成的MEMS器件，所述半导体本体是单片的并且具有第一和第二主表面。掩埋腔在第一主表面下方并与第一主表面相距一定距离地延伸到半导体本体中。隔膜在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，并且具有面向掩埋腔的掩埋面。隔膜绝缘层在隔膜的掩埋面上延伸，并且横向绝缘区在第一主表面和隔膜绝缘层之间在掩埋腔上方沿着封闭线延伸到半导体本体中。横向绝缘区横向界定隔膜，并与隔膜绝缘层一起形成隔膜绝缘区，该隔膜绝缘区界定隔膜并使其与晶片的其余部分电绝缘。
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公开(公告)号：CN105562237B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种微流体器件以及制造微流体器件的方法。微流体器件具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN117135989A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310599186.6
申请日：2023-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及MEMS热电发电机、对应的制造方法以及加热系统。MEMS热电发电机，包括：热电单元，包括在热电单元的腔体上部分地延伸的一个或多个热电元件；热塑性层，热塑性层在热电单元上延伸并且具有沿着第一轴线彼此相对的顶表面和底表面，底表面面向热电单元并且热塑性层由绝热材料制成并且被配置为通过激光直接结构化LDS技术来处理；散热器，散热器被配置为与热电单元交换热量，热电单元沿着第一轴线插置在散热器与热塑性层之间；以及金属材料的热通孔，热通孔从顶表面延伸穿过热塑性层至底表面，使得热通孔沿第一轴线重叠在腔体上，其中热电单元可通过热通孔与热源交换热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764567A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110539522.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括：提供硅基材料层，具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面；形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件，以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面；形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件，并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子，第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。
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公开(公告)号：CN109454995A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811204454.5
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN114572928A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111430582.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
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公开(公告)号：CN109454995B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811204454.5
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN105562237A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B05B9/03 , B05C5/001 , B81C1/00047 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C3/001 , B81C2201/0111 , B81C2201/013 , B81C2203/03
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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