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公开(公告)号：CN110894060A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910858240.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的实施方式涉及用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法。底部半导体区域被形成为包括：主子区域，延伸穿过覆盖半导体晶片的底部介电区域；以及次子区域，次子区域覆盖底部介电区域并围绕主子区域。第一顶部腔室和第二顶部腔室被形成为穿过晶片，界定固定本体和图案化结构，图案化结构包括与主子区域接触的中心部分以及与底部介电区域接触的可变形部分。底部腔室穿过底部半导体区域形成，直到底部介电区域，底部腔室侧向界定包括主子区域的加强区域并且留下暴露的部分底部介电区域和界定第一顶部腔室和第二顶部腔室的部分底部介电区域，暴露的部分底部介电区域与可变形部分接触。留下来由底部腔室暴露的部分被选择性地移除。
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公开(公告)号：CN110269991A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910190624.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： D·朱斯蒂 , O·R·A·迪马尔科 , I·瓦里斯科
IPC: A61M16/20
Abstract: 本公开的各实施例涉及电阀模块、用于制造阀模块的方法、用于操作阀模块的方法、以及包括一个或多个阀模块的呼吸辅助装置。一种阀模块包括半导体本体、在半导体本体中的彼此隔开一定距离的空腔、悬置在每个空腔之上以使能空腔的至少部分闭合的悬臂结构、以及用于每个悬臂结构的压电致动器。压电致动器被配置用于引起相应悬臂结构的正弯曲并且因此调节通过阀模块的气流的速率。
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公开(公告)号：CN107404697A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201611227014.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器，其设置有：半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；形成在衬底内的第一腔，其从背表面延伸到前表面；膜，其布置在上表面处，悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底；以及梳齿状电极布置，其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地，梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号：CN116986549A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310480979.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括具有防粘滞突起的掩埋腔的MEMS结构及其制造方法。MEMS结构包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
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公开(公告)号：CN102344111A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110212573.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01D67/0062 , B01D71/02 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0681 , B81B2201/10 , B81C1/00071 , B81C1/00087 , B81C2201/0133 , B81C2201/0157 , F04B19/006
Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩模(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩模(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩模(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115524051A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210731063.9
申请日：2022-06-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件。在半导体本体中形成的MEMS器件，所述半导体本体是单片的并且具有第一和第二主表面。掩埋腔在第一主表面下方并与第一主表面相距一定距离地延伸到半导体本体中。隔膜在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，并且具有面向掩埋腔的掩埋面。隔膜绝缘层在隔膜的掩埋面上延伸，并且横向绝缘区在第一主表面和隔膜绝缘层之间在掩埋腔上方沿着封闭线延伸到半导体本体中。横向绝缘区横向界定隔膜，并与隔膜绝缘层一起形成隔膜绝缘区，该隔膜绝缘区界定隔膜并使其与晶片的其余部分电绝缘。
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公开(公告)号：CN110269991B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201910190624.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： D·朱斯蒂 , O·R·A·迪马尔科 , I·瓦里斯科
IPC: A61M16/20
Abstract: 本公开的各实施例涉及电阀模块、用于制造阀模块的方法、用于操作阀模块的方法、以及包括一个或多个阀模块的呼吸辅助装置。一种阀模块包括半导体本体、在半导体本体中的彼此隔开一定距离的空腔、悬置在每个空腔之上以使能空腔的至少部分闭合的悬臂结构、以及用于每个悬臂结构的压电致动器。压电致动器被配置用于引起相应悬臂结构的正弯曲并且因此调节通过阀模块的气流的速率。
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公开(公告)号：CN107404697B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611227014.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器，其设置有：半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；形成在衬底内的第一腔，其从背表面延伸到前表面；膜，其布置在上表面处，悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底；以及梳齿状电极布置，其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地，梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号：CN102344111B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110212573.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01D67/0062 , B01D71/02 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0681 , B81B2201/10 , B81C1/00071 , B81C1/00087 , B81C2201/0133 , B81C2201/0157 , F04B19/006
Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩膜(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩膜(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩膜(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。
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公开(公告)号：CN220766508U
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202321015454.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电器件。微机电器件包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
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