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公开(公告)号：CN107404697A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201611227014.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器，其设置有：半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；形成在衬底内的第一腔，其从背表面延伸到前表面；膜，其布置在上表面处，悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底；以及梳齿状电极布置，其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地，梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号：CN102344111A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110212573.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01D67/0062 , B01D71/02 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0681 , B81B2201/10 , B81C1/00071 , B81C1/00087 , B81C2201/0133 , B81C2201/0157 , F04B19/006
Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩模(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩模(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩模(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。
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公开(公告)号：CN108124226A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710501986.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: H04R7/18 , B81B3/0054 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C2201/0132 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本公开涉及具有改进灵敏度的集成电声MEMS换能器及其制造工艺。例如，一种电声MEMS换能器，该电声MEMS换能器具有：半导体材料的衬底(23)；在该衬底中的贯通空腔(24)；背板(25)，该背板由该衬底通过板锚定结构(26)承载，该背板具有面向该贯通空腔的表面(25A)；固定电极(33)，该固定电极在该背板的该表面之上延伸；采用导电材料的薄膜(22)，该薄膜具有面向该固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构(26)固定到该背板(25)的该表面(25A)上的外围部分(22B)；以及在该薄膜(22)与该背板(25)之间的腔室(28)，该腔室由该薄膜锚定结构外围地界定。
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公开(公告)号：CN104140071A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410181932.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L29/84 , H04R1/04 , H04R19/04
Abstract: 一种MEMS传感器器件的组件，设想：第一裸片，集成微机械检测结构，并具有外部主面；第二裸片，其集成电子电路，该电子电路被可操作地耦合到微机械检测结构，被电气和机械地耦合到第一裸片并且具有相应的外部主面。第一裸片的外部主面与第二裸片的外部主面两者均被设置为与组件外部的环境直接接触，而不引入封装材料。
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公开(公告)号：CN109511066B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104140071B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410181932.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L29/84 , H04R1/04 , H04R19/04
Abstract: 一种MEMS传感器器件的组件，设想：第一裸片，集成微机械检测结构，并具有外部主面；第二裸片，其集成电子电路，该电子电路被可操作地耦合到微机械检测结构，被电气和机械地耦合到第一裸片并且具有相应的外部主面。第一裸片的外部主面与第二裸片的外部主面两者均被设置为与组件外部的环境直接接触，而不引入封装材料。
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公开(公告)号：CN108124226B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710501986.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本公开涉及具有改进灵敏度的集成电声MEMS换能器及其制造工艺。例如，一种电声MEMS换能器，该电声MEMS换能器具有：半导体材料的衬底(23)；在该衬底中的贯通空腔(24)；背板(25)，该背板由该衬底通过板锚定结构(26)承载，该背板具有面向该贯通空腔的表面(25A)；固定电极(33)，该固定电极在该背板的该表面之上延伸；采用导电材料的薄膜(22)，该薄膜具有面向该固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构(26)固定到该背板(25)的该表面(25A)上的外围部分(22B)；以及在该薄膜(22)与该背板(25)之间的腔室(28)，该腔室由该薄膜锚定结构外围地界定。
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公开(公告)号：CN107404697B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611227014.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器，其设置有：半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；形成在衬底内的第一腔，其从背表面延伸到前表面；膜，其布置在上表面处，悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底；以及梳齿状电极布置，其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地，梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号：CN110422820A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910081902.5
申请日：2019-01-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造半导体裸片的方法、半导体裸片、封装件以及电子系统。该方法，包括以下步骤：提供MEMS设备，其具有设置有腔体的结构本体和悬挂在腔体之上的膜结构；经由直接接合或熔合接合将结构本体耦合至过滤模块，使过滤模块的第一部分在腔体之上延伸，并且过滤模块的第二部分无缝地延伸作为结构本体的延长；以及在对应于第一部分的区域中蚀刻过滤模块的选择部分，以形成流体耦合至腔体的过滤开口。例如，半导体芯片是麦克风。
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公开(公告)号：CN109511066A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
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