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公开(公告)号：CN108124226B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710501986.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本公开涉及具有改进灵敏度的集成电声MEMS换能器及其制造工艺。例如，一种电声MEMS换能器，该电声MEMS换能器具有：半导体材料的衬底(23)；在该衬底中的贯通空腔(24)；背板(25)，该背板由该衬底通过板锚定结构(26)承载，该背板具有面向该贯通空腔的表面(25A)；固定电极(33)，该固定电极在该背板的该表面之上延伸；采用导电材料的薄膜(22)，该薄膜具有面向该固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构(26)固定到该背板(25)的该表面(25A)上的外围部分(22B)；以及在该薄膜(22)与该背板(25)之间的腔室(28)，该腔室由该薄膜锚定结构外围地界定。
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公开(公告)号：CN106926582B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN111823717B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010289274.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及部件数目减少的流体喷射设备以及用于制造流体喷射设备的方法。各种实施例提供了一种用于流体的喷射设备。喷射设备包括：第一半导体晶片，该第一半导体晶片在其第一侧上容纳压电致动器和在压电致动器旁边的用于流体的出口通道；第二半导体晶片，该第二半导体晶片在其第一侧上具有凹口，并且与第一侧相对的其第二侧上具有用于将所述流体流体地耦合至凹口的至少一个入口通道；以及干膜，其被耦合到与第一晶片的第一侧相对的第二侧。第一晶片和第二晶片被耦合在一起，以使得压电致动器和出口通道被设置成直接面对并被完全容纳在凹口中，该凹口形成用于流体的储液器。干膜具有喷射喷嘴。
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公开(公告)号：CN109910435A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN110127590B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201910107464.5
申请日：2019-02-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种在平面中可移动的、具有压电驱动的微机电微操纵装置。MEMS操纵装置具有承载相应的相互面对的夹持元件的第一操纵臂和第二操纵臂。至少第一操纵臂由驱动臂和通过铰接结构被铰链连接在一起的铰接臂形成。第一驱动臂包括第一梁元件和在第一梁元件上的第一压电区域。第一铰接结构包括在厚度方向上不可变形的第一连接元件以及被插入在第一驱动臂、第一铰接臂和第一连接元件之间的第一铰链结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109910435B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN108124226A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710501986.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: H04R7/18 , B81B3/0054 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C2201/0132 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本公开涉及具有改进灵敏度的集成电声MEMS换能器及其制造工艺。例如，一种电声MEMS换能器，该电声MEMS换能器具有：半导体材料的衬底(23)；在该衬底中的贯通空腔(24)；背板(25)，该背板由该衬底通过板锚定结构(26)承载，该背板具有面向该贯通空腔的表面(25A)；固定电极(33)，该固定电极在该背板的该表面之上延伸；采用导电材料的薄膜(22)，该薄膜具有面向该固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构(26)固定到该背板(25)的该表面(25A)上的外围部分(22B)；以及在该薄膜(22)与该背板(25)之间的腔室(28)，该腔室由该薄膜锚定结构外围地界定。
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公开(公告)号：CN116986549A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310480979.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括具有防粘滞突起的掩埋腔的MEMS结构及其制造方法。MEMS结构包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
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公开(公告)号：CN116140172A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211449389.9
申请日：2022-11-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及去除所述半导体本体的从所述第二表面向所述第二腔室的一个或多个相应的选择性部分。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。
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公开(公告)号：CN115501987A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210726259.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于喷射非常小的液滴的改进的微流体设备。一种微流体设备具有腔室；与腔室流体连接的流体进入通道；与腔室流体连接的多个喷嘴孔；以及可操作地耦合到流体容纳腔室并且被配置为在微流体设备的操作条件下使流体的液滴喷射通过喷嘴孔的致动器。腔室具有细长形状，具有长度和最大宽度，其中腔室的长度与最大宽度之间的纵横比为至少3:1。喷嘴孔被配置为在使用中生成具有总液滴体积的多个液滴，其中总液滴体积与腔室体积的比率为至少15％。
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