-
公开(公告)号：CN116986549A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310480979.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括具有防粘滞突起的掩埋腔的MEMS结构及其制造方法。MEMS结构包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
-
公开(公告)号：CN115752815A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211047207.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统。一种用于制造集成第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统MEMS的方法。第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器。制造第一MEMS器件和第二MEMS器件的步骤至少部分地彼此被共享，导致在单个裸片上的高度集成，并且允许以高产量和受控成本来实现制造工艺。
-
公开(公告)号：CN117509531A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310965613.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电子器件包括：MEMS传感器器件，MEMS传感器器件包括将化学量或物理量转换为对应电学量的功能结构；帽，帽包括半导电衬底；以及将帽机械耦合到MEMS传感器器件的键合介电区域。帽还包括导电区域，导电区域在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，并且包括第一部分和第二部分，第一部分相对于半导电衬底横向布置并且被暴露，以便能够通过对应引线键合件电耦合到处于参考电势的端子，第二部分接触半导电衬底。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115752814A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211041314.7
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
-
公开(公告)号：CN218545957U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222277065.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种微机电器件。该微机电器件包括：基板；在基板上的第一保护层，不渗透蚀刻化学溶液；在第一保护层上的能够通过蚀刻化学溶液被去除的材料的牺牲层；在牺牲层上的不渗透蚀刻化学溶液的第二保护层；可渗透蚀刻化学溶液的多孔材料的第一膜层；在第一膜层与第一保护层之间的腔体；以及在第一膜层上的第二膜层，被配置为密封第一膜层的孔隙。
-
公开(公告)号：CN220766508U
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202321015454.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电器件。微机电器件包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
-
公开(公告)号：CN221275213U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202322062933.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的一个或多个实施例涉及电子器件，包括：MEMS传感器器件，包括转换结构，转换结构被配置为在操作中将化学量或物理量转换为对应电学量；帽，包括：半导电衬底；以及导电区域，在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，导电区域包括：第一部分，相对于半导电衬底横向布置并且被暴露；以及第二部分，与半导电衬底接触；键合介电区域，将帽机械耦合到MEMS传感器器件。
-
公开(公告)号：CN218491481U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202222274913.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，第一电极被耦合到在衬底上延伸的第一微机电系统器件；第一电极上的第一层；在第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在保护层上的、多孔材料的膜层，膜层对蚀刻化学溶液可渗透；被膜层重叠的腔；第一结构层，第一结构层密封膜层的孔并且与膜层形成第一微机电系统器件的悬置结构，悬置结构是通过腔电容性耦合到第一电极的第二电极；以及第二结构层在第一结构层上，并且第二结构层包括：第二微机电系统器件的可移动结构；以及第一微机电系统器件的第一电极和第二电极的偏置结构。由此，提供了改进的半导体器件。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.022 seconds)
