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公开(公告)号：CN107117577B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201611035493.8
申请日：2016-09-30
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有较低的温度灵敏度的微机电型压力装置，提供了一种微机电压力传感器装置(100)，其由帽状件区域(102)和半导体材料的传感器区域(101)形成。气隙(107)在传感器区域(101)和帽状件区域(102；103)之间延伸；掩埋空腔(109)在传感器区域(101)中的气隙下方延伸，并且在底部限定薄膜(111)。贯通沟槽(110)在传感器区域(101)内延伸并且横向限定容纳薄膜的灵敏部分(121)、支撑部分(120)和弹簧部分(122)，弹簧部分将灵敏部分(121)连接至支撑部分(120)。通道(123)在弹簧部分(122)内延伸并且将掩埋空腔(109)连接到第二区域(101)的面(101A)。
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公开(公告)号：CN108246593A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710400836.4
申请日：2017-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B06B1/06 , H01L41/083 , H01L41/31
摘要： 本发明涉及压电式微加工超声换能器及其制造方法。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围部分(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。
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公开(公告)号：CN107117577A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201611035493.8
申请日：2016-09-30
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有较低的温度灵敏度的微机电型压力装置，提供了一种微机电压力传感器装置(100)，其由帽状件区域(102)和半导体材料的传感器区域(101)形成。气隙(107)在传感器区域(101)和帽状件区域(102；103)之间延伸；掩埋空腔(109)在传感器区域(101)中的气隙下方延伸，并且在底部限定薄膜(111)。贯通沟槽(110)在传感器区域(101)内延伸并且横向限定容纳薄膜的灵敏部分(121)、支撑部分(120)和弹簧部分(122)，弹簧部分将灵敏部分(121)连接至支撑部分(120)。通道(123)在弹簧部分(122)内延伸并且将掩埋空腔(109)连接到第二区域(101)的面(101A)。
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公开(公告)号：CN114572928A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111430582.3
申请日：2021-11-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
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公开(公告)号：CN107662902A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710191543.X
申请日：2017-03-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 公开了用于制造MEMS微反射镜设备的工艺以及相关联设备。一种用于从采用半导体材料的单体本体(104)中制造MEMS微反射镜设备的工艺。初始地，掩埋空腔(106)形成于该单体本体中并且在底部界定悬置膜(105)，该悬置膜被安排在该掩埋空腔(106)与该单体本体(104)的主表面(104A)之间。然后，对该悬置膜(105)进行限定以便形成支撑框架(115)和可移动质量块(114)，该可移动质量块可围绕轴线(C)旋转并且由该支撑框架(115)承载。该可移动质量块形成振荡质量块(107)、支撑臂(109)、弹簧部分(111)以及梳齿连接至固定电极(113)的可移动电极(112)。在该振荡质量块(107)的顶部上形成反射区域(145)。
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公开(公告)号：CN106915722A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610482597.7
申请日：2016-06-27
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有：半导体材料的单片式本体，其具有第一主表面和第二主表面，这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对；布置在单片式本体内的壳腔体；在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜；布置在膜的第一表面上方的压电材料层；布置成与压电材料层接触的电极装置；以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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公开(公告)号：CN106744649A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610377872.9
申请日：2016-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本申请涉及具有两个掩埋腔的微机电器件及其制造方法。提供一种微机电器件，形成在半导体材料的单块本体(107)中，该单块本体容纳第一掩埋腔(106)、在第一掩埋腔之上的感应区域(112)以及在感应区域中延伸的第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)从单块本体(107)的第一面(107A)延伸远至第一掩埋腔(106)且在横向上环绕第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)将感应区域(112)与单块本体的外围部分(104；137)分离。
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公开(公告)号：CN110047817B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910033479.1
申请日：2019-01-14
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/64
摘要： 本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
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公开(公告)号：CN115752815A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211047207.5
申请日：2022-08-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统。一种用于制造集成第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统MEMS的方法。第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器。制造第一MEMS器件和第二MEMS器件的步骤至少部分地彼此被共享，导致在单个裸片上的高度集成，并且允许以高产量和受控成本来实现制造工艺。
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公开(公告)号：CN106744649B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201610377872.9
申请日：2016-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本申请涉及具有两个掩埋腔的微机电器件及其制造方法。提供一种微机电器件，形成在半导体材料的单块本体(107)中，该单块本体容纳第一掩埋腔(106)、在第一掩埋腔之上的感应区域(112)以及在感应区域中延伸的第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)从单块本体(107)的第一面(107A)延伸远至第一掩埋腔(106)且在横向上环绕第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)将感应区域(112)与单块本体的外围部分(104；137)分离。
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