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公开(公告)号：CN106915722B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201610482597.7
申请日：2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有：半导体材料的单片式本体，其具有第一主表面和第二主表面，这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对；布置在单片式本体内的壳腔体；在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜；布置在膜的第一表面上方的压电材料层；布置成与压电材料层接触的电极装置；以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104249990B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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公开(公告)号：CN106915722A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610482597.7
申请日：2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有：半导体材料的单片式本体，其具有第一主表面和第二主表面，这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对；布置在单片式本体内的壳腔体；在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜；布置在膜的第一表面上方的压电材料层；布置成与压电材料层接触的电极装置；以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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公开(公告)号：CN104249990A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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公开(公告)号：CN204384864U
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201420365209.3
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开一种包含流体路径的MEMS器件及设备。MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。本实用新型公还包括了使用本器件的设备。一种使用本器件的设备。
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公开(公告)号：CN205907026U
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201620649418.X
申请日：2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L41/1138 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/1134 , H01L41/1876 , H01L41/22 , H01L41/25 , H01L41/29 , H01L41/332 , H02N2/186
Abstract: 本实用新型涉及MEMS压电器件、能量采集系统以及便携式或移动型电子装置。一种MEMS压电器件具有：半导体材料的单片式本体，其具有第一主表面和第二主表面，这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对；布置在单片式本体内的壳腔体；在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜；布置在膜的第一表面上方的压电材料层；布置成与压电材料层接触的电极装置；以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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