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公开(公告)号:CN112374885B
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202011253180.6
申请日:2016-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及用于制备BZT‑αBXT型陶瓷的前体溶液,其中X选自Ca、Sn、Mn和Nb,且α是在0.10和0.90之间的范围内选择的摩尔分数,所述溶液包含:1)至少一种钡前体化合物;2)选自至少一种钙化合物、至少一种锡化合物、至少一种锰化合物和至少一种铌化合物的前体化合物;3)至少一种锆的无水前体化合物;4)至少一种钛的无水前体化合物;5)选自多元醇和多元醇混合物的溶剂,以及选自醇、羧酸、酯、酮、醚和它们的混合物的辅助溶剂;和6)螯合剂。本发明还涉及用于制备该前体溶液的方法、从该前体溶液获得的压电材料、用于制备压电材料膜的方法、包含该压电材料的装置和压电材料的用途。
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公开(公告)号:CN106915722B
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201610482597.7
申请日:2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有:半导体材料的单片式本体,其具有第一主表面和第二主表面,这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对;布置在单片式本体内的壳腔体;在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜;布置在膜的第一表面上方的压电材料层;布置成与压电材料层接触的电极装置;以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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公开(公告)号:CN106810253A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201610512781.1
申请日:2016-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/4682 , C01G23/006 , C01G25/006 , C01G45/125 , C01P2004/82 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B35/634 , C04B2235/3208 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/765 , C04B2235/81 , H01L41/1871 , H01L41/318 , C04B35/49 , C04B35/62222 , C04B35/626 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236
Abstract: 本发明涉及用于制备BZT‑αBXT型陶瓷的前体溶液,其中X选自Ca,Sn,Mn和Nb,且α是在0.10和0.90之间的范围内选择的摩尔分数,所述溶液包含:1)至少一种钡的无水或脱水前体化合物;2)至少一种选自钙化合物、锡化合物、锰化合物和铌化合物的无水或脱水前体化合物;3)至少一种锆的无水前体化合物;4)至少一种钛的无水前体化合物;5)溶剂,其选自多元醇、醇、羧酸、酯、酮、醚和它们的混合物;6)螯合剂。本发明还涉及用于制备前体溶液的方法,从前体溶液获得的压电材料,用于制备压电材料的膜的方法,包含压电材料的装置和压电材料的用途。
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公开(公告)号:CN106810252A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201610509925.8
申请日:2016-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及用于制备BZT‑αBXT型陶瓷的前体溶液,其中X选自Ca、Sn、Mn和Nb,且α是在0.10和0.90之间的范围内选择的摩尔分数,所述溶液包含:1)至少一种钡前体化合物;2)选自至少一种钙化合物、至少一种锡化合物、至少一种锰化合物和至少一种铌化合物的前体化合物;3)至少一种锆的无水前体化合物;4)至少一种钛的无水前体化合物;5)选自多元醇和多元醇混合物的溶剂,以及选自醇、羧酸、酯、酮、醚和它们的混合物的辅助溶剂;和6)螯合剂。本发明还涉及用于制备该前体溶液的方法、从该前体溶液获得的压电材料、用于制备压电材料膜的方法、包含该压电材料的装置和压电材料的用途。
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公开(公告)号:CN115215650A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210395954.1
申请日:2022-04-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/317 , H01L41/43
Abstract: 本公开涉及一种用于制备无铅压电材料和前体溶液的方法,用于制备用于BZT‑αBXT型陶瓷的前体溶液,其中X选自Ca、Sn、Mn和Nb,并且α是在0.10与0.90之间范围内选择的摩尔分数,该方法包括以下步骤:a)通过将至少一种钡前体化合物和选自由钙前体化合物、锡前体化合物、锰前体化合物和铌前体化合物组成的组中的至少一种前体化合物溶解于含有2到6个碳原子的直链或分支链无水烷基醇中并且溶解之后,通过汽提进行脱水以获得第一溶液;b)在无水螯合剂存在下将至少一种锆前体化合物和至少一种钛前体化合物溶解于含有2到6个碳原子的直链或分支链无水烷基醇中,以获得第二溶液;c)在无水环境中结合第一溶液和第二溶液并通过汽提进行脱水,以获得前体溶液。
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公开(公告)号:CN112374885A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011253180.6
申请日:2016-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及用于制备BZT‑αBXT型陶瓷的前体溶液,其中X选自Ca、Sn、Mn和Nb,且α是在0.10和0.90之间的范围内选择的摩尔分数,所述溶液包含:1)至少一种钡前体化合物;2)选自至少一种钙化合物、至少一种锡化合物、至少一种锰化合物和至少一种铌化合物的前体化合物;3)至少一种锆的无水前体化合物;4)至少一种钛的无水前体化合物;5)选自多元醇和多元醇混合物的溶剂,以及选自醇、羧酸、酯、酮、醚和它们的混合物的辅助溶剂;和6)螯合剂。本发明还涉及用于制备该前体溶液的方法、从该前体溶液获得的压电材料、用于制备压电材料膜的方法、包含该压电材料的装置和压电材料的用途。
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公开(公告)号:CN106810252B
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN201610509925.8
申请日:2016-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及用于制备BZT‑αBXT型陶瓷的前体溶液,其中X选自Ca、Sn、Mn和Nb,且α是在0.10和0.90之间的范围内选择的摩尔分数,所述溶液包含:1)至少一种钡前体化合物;2)选自至少一种钙化合物、至少一种锡化合物、至少一种锰化合物和至少一种铌化合物的前体化合物;3)至少一种锆的无水前体化合物;4)至少一种钛的无水前体化合物;5)选自多元醇和多元醇混合物的溶剂,以及选自醇、羧酸、酯、酮、醚和它们的混合物的辅助溶剂;和6)螯合剂。本发明还涉及用于制备该前体溶液的方法、从该前体溶液获得的压电材料、用于制备压电材料膜的方法、包含该压电材料的装置和压电材料的用途。
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公开(公告)号:CN106915722A
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201610482597.7
申请日:2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有:半导体材料的单片式本体,其具有第一主表面和第二主表面,这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对;布置在单片式本体内的壳腔体;在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜;布置在膜的第一表面上方的压电材料层;布置成与压电材料层接触的电极装置;以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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公开(公告)号:CN205907026U
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201620649418.X
申请日:2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L41/1138 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/1134 , H01L41/1876 , H01L41/22 , H01L41/25 , H01L41/29 , H01L41/332 , H02N2/186
Abstract: 本实用新型涉及MEMS压电器件、能量采集系统以及便携式或移动型电子装置。一种MEMS压电器件具有:半导体材料的单片式本体,其具有第一主表面和第二主表面,这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对;布置在单片式本体内的壳腔体;在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜;布置在膜的第一表面上方的压电材料层;布置成与压电材料层接触的电极装置;以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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