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公开(公告)号：CN115752815A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211047207.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统。一种用于制造集成第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统MEMS的方法。第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器。制造第一MEMS器件和第二MEMS器件的步骤至少部分地彼此被共享，导致在单个裸片上的高度集成，并且允许以高产量和受控成本来实现制造工艺。
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公开(公告)号：CN107697882B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201710193990.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造半导体器件的工艺以及相应半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括：形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。
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公开(公告)号：CN115403001A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210583496.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于制造组合微机电器件的方法和对应组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括：在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构；执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔，腔处于受控压力下；形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道，以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值；以及执行第二结合阶段，之后，结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。
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公开(公告)号：CN107697882A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710193990.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771 , B81C2203/0792 , B81C3/001 , B81B7/0006 , B81B7/0064 , B81B7/02
Abstract: 公开了用于制造半导体器件的工艺以及相应半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括：形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。
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公开(公告)号：CN117945340A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311420546.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造包括两个半导体管芯的器件的器件和方法。该器件由第一管芯和第二管芯形成。第一管芯由半导体材料制成并集成电子元件。第二管芯具有主表面，形成图案化结构，并结合到第一管芯。内部电耦合结构将第一管芯的主表面电耦合到第二管芯。外部连接区域在第一管芯的主表面上延伸。封装件封装第一管芯、第二管芯和内部电耦合结构并且部分地围绕外部连接区域，外部连接区域部分地从封装件突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113697766A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110545660.8
申请日：2021-05-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。
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公开(公告)号：CN113493186A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110295228.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
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公开(公告)号：CN215364899U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120565750.9
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及用于测量流体的特性的系统。基于科里奥利力的流量感测装置包括：硅基底；绝缘层，在所述基底的表面上；至少一个驱动电极，在所述绝缘层上；以及硅结构体，与所述驱动电极部分地重叠，所述结构体具有埋入通道。本公开的实施例提供了高性能和低成本特性的流量感测装置及包括用于测量流体特性的系统。
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公开(公告)号：CN217808767U
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202221280850.8
申请日：2022-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括：在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构；执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔，腔处于受控压力下；形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道，以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值；以及执行第二结合阶段，之后，结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。本实用新型的实施例提供了一种制造成本低廉的组合微机电器件。
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公开(公告)号：CN221440346U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322918834.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件和微机电系统。一种半导体器件，包括：第一管芯，集成电子元件；第二管芯，结合到所述第一管芯并且形成图案化结构，所述第一管芯具有主表面；内部电耦合结构，将所述第一管芯的所述主表面电耦合到所述第二管芯；外部连接区域，在所述第一管芯的所述主表面上；以及封装件，所述封装件封装所述第一管芯、所述第二管芯和所述内部电耦合结构并且部分地围绕所述外部连接区域，所述外部连接区域从所述封装件部分地突出。利用本公开的实施例使得最终器件成本低廉且具有良好的控制。因此，最终器件具有相对较低的成本。
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