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公开(公告)号：CN106597014A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610857572.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及应力敏感性降低的微机电传感器器件。一种提供有感测结构的MEMS传感器器件，包括：具有在水平面中延伸的上表面的衬底；悬置在衬底的上方的惯性质量；弹性耦合元件，弹性耦合元件弹性地连接到惯性质量，以便使得它们相对于衬底的惯性移动作为沿着属于水平面的感测轴的待检测量的函数；和感测电极，感测电极电容耦合到惯性质量，以便形成至少一个感测电容器，其电容值指示待检测量。微机电感测结构包括悬置结构，感测电极被刚性地耦合到悬置结构，并且惯性质量通过弹性耦合元件弹性地耦合到悬置结构；悬置结构通过弹性悬置元件被连接到相对于衬底固定的锚固结构。
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公开(公告)号：CN116203716A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211518041.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 提供具有旋转屏蔽结构的微机电光学快门和相关制造工艺。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号：CN115683077A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210909420.6
申请日：2022-07-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5649 , G01C19/5656 , G01C19/5663
Abstract: 本公开涉及具有改进的正交误差抑制的MEMS陀螺仪。该MEMS陀螺仪由衬底、第一质量块和第二质量块形成，其中第一质量块和第二质量块悬置于衬底上方，并且在静止状态下在限定第一方向和横向于第一方向的第二方向的延伸平面中延伸。该MEMS陀螺仪还具有：驱动结构，被耦合至第一质量块，并且被配置为在使用中使第一质量块在第一方向上移动；以及弹性耦合结构，在第一质量块与第二质量块之间延伸，并且被配置为将第一质量块在第一方向上的移动与第二质量块在第二方向上的移动耦合。弹性耦合结构具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一刚度，第二部分具有大于第一刚度的第二刚度。
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公开(公告)号：CN112113551A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010561463.0
申请日：2020-06-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/56 , G01C19/5776 , G01C25/00
Abstract: 本公开涉及具有实时校准比例因子的MEMS陀螺仪及其校准方法。MEMS陀螺仪有由支撑结构承载以在彼此垂直的驱动方向和第一感测方向上移动的移动质量块。驱动结构以驱动频率管控移动质量块在驱动方向上的移动。移动感测结构耦合到移动质量块，并且检测移动质量块在感测方向上的移动。正交注入结构耦合到移动质量块，并且使移动质量块分别在第一和第二校准半周期中在感测方向上进行第一移动和第二移动。移动感测结构供应幅度在第一值和第二值之间切换的感测信号，该第一值和第二值取决于由于外部角速度以及第一和第二正交移动而导致的移动质量块的移动。感测信号的第一值和第二值彼此相减，并且与储存的差值进行比较，以供应比例因子的变化信息。
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公开(公告)号：CN114563013A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111424200.6
申请日：2021-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C25/00
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电陀螺仪和补偿微机电陀螺仪中的输出热漂移的方法。微机电陀螺仪包括：支撑结构；感测质量块，其以沿着驱动方向和感测方向的自由度被耦合至支撑结构，驱动方向和感测方向彼此垂直；以及校准结构，其面向感测质量块并且通过具有平均宽度的间隙而与感测质量块分离，校准结构相对于感测质量块可移动，使得校准结构的位移引起间隙平均宽度的变化。校准致动器控制校准结构相对于感测质量块的相对位置以及间隙的平均宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113493186A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110295228.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
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公开(公告)号：CN106597014B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610857572.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及应力敏感性降低的微机电传感器器件。一种提供有感测结构的MEMS传感器器件，包括：具有在水平面中延伸的上表面的衬底；悬置在衬底的上方的惯性质量；弹性耦合元件，弹性耦合元件弹性地连接到惯性质量，以便使得它们相对于衬底的惯性移动作为沿着属于水平面的感测轴的待检测量的函数；和感测电极，感测电极电容耦合到惯性质量，以便形成至少一个感测电容器，其电容值指示待检测量。微机电感测结构包括悬置结构，感测电极被刚性地耦合到悬置结构，并且惯性质量通过弹性耦合元件弹性地耦合到悬置结构；悬置结构通过弹性悬置元件被连接到相对于衬底固定的锚固结构。
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公开(公告)号：CN118108173A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311603477.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02 , B81C99/00 , B81C1/00 , G01C19/5733 , G01C19/5769
Abstract: 一种微机电器件包括：支撑体；至少一个可移动质量块，由半导体材料制成，该至少一个可移动质量块被弹性地约束至支撑体，从而能够振荡；固定检测电极，被刚性地连接至所述支撑体，并且被电容性地耦合至至少一个可移动质量块；以及至少一个测试结构，由半导体材料制成，该至少一个测试结构被刚性地连接至所述支撑体，并且不同于固定检测电极。测试结构被电容性地耦合至至少一个可移动质量块，并且被配置为响应于测试结构与至少一个可移动质量块之间的电压，向至少一个可移动质量块施加静电力。
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公开(公告)号：CN116892917A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310327918.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本公开的实施例涉及紧凑型微机电角速率传感器。提出了MEMS角速率传感器，MEMS角速率传感器具有在半导体层上被微机械加工的两对悬置质量块。第一对包括彼此相对且镜像的两个质量块。第一对质量块具有驱动结构，以用于在线性方向上生成机械振动。第二对质量块包括彼此相对且镜像的两个质量块。第二对质量块利用耦合元件耦合到第一对驱动质量块。两对质量块被耦合到中心桥。中心桥具有差分配置，以用于排除任何外部干扰。两对质量块中的每个质量块包括不同的部分，以用于检测不同的线性运动和角度运动。
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公开(公告)号：CN116199178A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511741.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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