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公开(公告)号：CN110047929A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910033481.9
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有沟槽栅极的半导体电子器件及其制造方法。一种垂直导电半导体电子器件，包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。
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公开(公告)号：CN110047817B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910033479.1
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
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公开(公告)号：CN110047817A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910033479.1
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
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公开(公告)号：CN107785369A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710197884.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/26513 , H01L21/3063 , H01L21/3081 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0665 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/41741 , H01L29/66128 , H01L29/66666 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/8611 , H03K17/687 , H01L27/0629 , H01L21/8249 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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公开(公告)号：CN105304287B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510335192.6
申请日：2015-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01F27/28
CPC classification number: H01F27/32 , H01F27/2804 , H01F27/323 , H01F41/063 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , H01L2924/00
Abstract: 集成变压器包括均具有螺旋平面布置的线圈的初级绕组和次级绕组。介电材料的介电部介于初级绕组与次级绕组之间。场板绕组与初级绕组电耦合。场板绕组包括具有大于初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸的至少一个场板线圈。场板线圈在平面图中与初级绕组的初级外侧线圈叠置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107343246A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201611248216.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B1/0644 , B06B1/067 , B06B1/0685 , G10K9/22 , G10K11/02 , H04R19/005 , H04R9/06 , H04R9/02 , H04R2400/11
Abstract: 本公开的声学器件具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。
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公开(公告)号：CN110047929B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910033481.9
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有沟槽栅极的半导体电子器件及其制造方法。一种垂直导电半导体电子器件，包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。
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公开(公告)号：CN107785369B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201710197884.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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公开(公告)号：CN106356434B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610108591.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。
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公开(公告)号：CN106356434A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610108591.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L33/346 , H01L33/0054 , H01L33/145
Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘
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