公开(公告)号：CN107785369B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201710197884.8

申请日：2017-03-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨姆比 ,  F·F·R·托亚 ,  M·马彻西 ,  M·莫里利 ,  R·德佩特罗 ,  G·巴里拉罗 ,  L·M·斯特拉姆比尼

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8249

Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。

公开(公告)号：CN107785369A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710197884.8

申请日：2017-03-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨姆比 ,  F·F·R·托亚 ,  M·马彻西 ,  M·莫里利 ,  R·德佩特罗 ,  G·巴里拉罗 ,  L·M·斯特拉姆比尼

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/8611 ,  H03K17/687 ,  H01L27/0629 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。

公开(公告)号：CN207731928U

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201720324426.1

申请日：2017-03-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨姆比 ,  F·F·R·托亚 ,  M·马彻西 ,  M·莫里利 ,  R·德佩特罗 ,  G·巴里拉罗 ,  L·M·斯特拉姆比尼

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/8611 ,  H03K17/687

Abstract: 一种的集成电子器件，其具有半导体本体(30)，包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利