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公开(公告)号：CN106712473A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610350469.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电路在对供应电容器充电以驱动功率开关时在DC电压供应端子与自举端子之间提供高电压低电压降类二极管传导路径，其中电容器设置在低电压与高电压DC电压之间交替地可切换的输出端子与自举端子之间。在实施例中，电路包括第一晶体管和第二晶体管，诸如LDMOS耗尽晶体管，其中第一晶体管设置在自举端子与DC电压供应端子之间的共源共栅布置中，第二晶体管与感测比较器耦合，感测比较器用于将自举端子处的电压与上述DC电压供应端子处的电压相比较。第一晶体管和第二晶体管具有与DC电压供应端子耦合的公共控制端子以及耦合至自举端子的公共耦合端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304287B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510335192.6
申请日：2015-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01F27/28
CPC classification number: H01F27/32 , H01F27/2804 , H01F27/323 , H01F41/063 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , H01L2924/00
Abstract: 集成变压器包括均具有螺旋平面布置的线圈的初级绕组和次级绕组。介电材料的介电部介于初级绕组与次级绕组之间。场板绕组与初级绕组电耦合。场板绕组包括具有大于初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸的至少一个场板线圈。场板线圈在平面图中与初级绕组的初级外侧线圈叠置。
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公开(公告)号：CN106712473B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610350469.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电路在对供应电容器充电以驱动功率开关时在DC电压供应端子与自举端子之间提供高电压低电压降类二极管传导路径，其中电容器设置在低电压与高电压DC电压之间交替地可切换的输出端子与自举端子之间。在实施例中，电路包括第一晶体管和第二晶体管，诸如LDMOS耗尽晶体管，其中第一晶体管设置在自举端子与DC电压供应端子之间的共源共栅布置中，第二晶体管与感测比较器耦合，感测比较器用于将自举端子处的电压与上述DC电压供应端子处的电压相比较。第一晶体管和第二晶体管具有与DC电压供应端子耦合的公共控制端子以及耦合至自举端子的公共耦合端子。
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公开(公告)号：CN105304287A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510335192.6
申请日：2015-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01F27/28
CPC classification number: H01F27/32 , H01F27/2804 , H01F27/323 , H01F41/063 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , H01L2924/00
Abstract: 集成变压器包括均具有螺旋平面布置的线圈的初级绕组和次级绕组。介电材料的介电部介于初级绕组与次级绕组之间。场板绕组与初级绕组电耦合。场板绕组包括具有大于初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸的至少一个场板线圈。场板线圈在平面图中与初级绕组的初级外侧线圈叠置。
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公开(公告)号：CN206135703U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201620481090.5
申请日：2016-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H03K17/687 , H01L29/7816 , H03K5/24 , H03K17/04123 , H03K17/063 , H03K17/74 , H03K2017/066
Abstract: 本公开涉及驱动电路、集成半导体电路和用于驱动电路的器件。驱动电路，包括：第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管被设置在自举端子与DC电压供应端子之间的共源共栅布置中，并且第二晶体管被耦合在自举端子与感测比较器之间，其中感测比较器被设置在第二晶体管与DC电压供应端子之间；第一晶体管和第二晶体管具有与DC电压供应端子耦合的公共控制端子以及耦合至自举端子的公共耦合端子；以及其中第一晶体管和第二晶体管组合操作以在对供应电容器充电以驱动功率开关时在DC电压供应端子与自举端子之间提供高电压低压降的类二极管传导路径，其中供应电容器被设置在自举端子与输出端子之间，输出端子在低电压DC电压与高电压DC电压之间交替地可切换。
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公开(公告)号：CN205092120U
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201520417480.1
申请日：2015-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01F27/28
CPC classification number: H01F27/32 , H01F27/2804 , H01F27/323 , H01F41/063 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , H01L2924/00
Abstract: 集成变压器包括均具有螺旋平面布置的线圈的初级绕组和次级绕组。介电材料的介电部介于初级绕组与次级绕组之间。场板绕组与初级绕组电耦合。场板绕组包括具有大于初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸的至少一个场板线圈。场板线圈在平面图中与初级绕组的初级外侧线圈叠置。
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