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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110047929A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910033481.9
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有沟槽栅极的半导体电子器件及其制造方法。一种垂直导电半导体电子器件，包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。
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公开(公告)号：CN110047929B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910033481.9
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有沟槽栅极的半导体电子器件及其制造方法。一种垂直导电半导体电子器件，包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。
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公开(公告)号：CN115701653A
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202210915888.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本公开的实施例涉及集成电路芯片及其制造方法。用于集成电路芯片的后段制程(BEOL)结构包括提供焊盘的最后金属结构。焊盘上的钝化结构包括第一开口，其延伸暴露焊盘的上表面。共形氮化物层在钝化结构上延伸并与焊盘的上表面接触。绝缘材料层覆盖共形氮化物层，并包括延伸穿过绝缘材料层和共形氮化物层两者的第二开口。在焊盘的上表面上的共形氮化物层的底部与第二开口自对准。
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公开(公告)号：CN209496879U
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201920057398.0
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体电子器件。半导体电子器件包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218498062U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202222005755.3
申请日：2022-08-01
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本公开的实施例涉及集成电路芯片。一种集成电路芯片，包括：前段制程FEOL结构；后段制程BEOL结构，在FEOL结构上；其中BEOL结构包括：最后金属结构，提供结合焊盘；钝化结构，覆盖最后金属结构的外围区域并且包括延伸穿过钝化结构并且暴露最后金属结构的上表面的第一开口；共形氮化物层，在钝化结构上延伸并且与最后金属结构的上表面接触；以及绝缘材料层，覆盖共形氮化物层并且包括延伸穿过绝缘材料层和共形氮化物层的第二开口，其中在最后金属结构的上表面上的共形氮化物层的底部与第二开口自对准。利用本公开的实施例有利地支持在钝化氮化物层和高压金属焊盘之间形成物理连接，而不需要专门的镍－钯精整或专用的处理掩模。
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