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公开(公告)号：CN115752814A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211041314.7
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
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公开(公告)号：CN102574676A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045056.9
申请日：2010-08-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00047 , B81C2201/0109
Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。
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公开(公告)号：CN116986549A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310480979.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括具有防粘滞突起的掩埋腔的MEMS结构及其制造方法。MEMS结构包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113351458A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110247160.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式机械换能器。提供了一种用于制造包括位于膜元件处的压电元件的PMUT器件的方法。方法包括接收绝缘体上硅基底，具有第一硅层、氧化物层和第二硅层。通过移除第一硅层的暴露侧部分和氧化物层的对应的部分来暴露第二硅层的第一表面的部分，并且限定包括第一硅层和氧化物层的剩余部分的中心部分。用于膜元件的锚定部分在第二硅层的第一表面的暴露部分处形成。压电元件在中心部分的上方形成，并且膜元件通过选择性地移除第二层并且从第一硅层的剩余部分下方移除氧化物的剩余部分来限定。
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公开(公告)号：CN102574676B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201080045056.9
申请日：2010-08-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00047 , B81C2201/0109
Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。
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公开(公告)号：CN220766508U
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202321015454.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电器件。微机电器件包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。
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公开(公告)号：CN218545957U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222277065.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种微机电器件。该微机电器件包括：基板；在基板上的第一保护层，不渗透蚀刻化学溶液；在第一保护层上的能够通过蚀刻化学溶液被去除的材料的牺牲层；在牺牲层上的不渗透蚀刻化学溶液的第二保护层；可渗透蚀刻化学溶液的多孔材料的第一膜层；在第一膜层与第一保护层之间的腔体；以及在第一膜层上的第二膜层，被配置为密封第一膜层的孔隙。
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公开(公告)号：CN215902133U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202120480887.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器PMUT器件以及电子系统。一种压电式微机械超声换能器PMUT器件，其特征在于，包括：硅基底；膜元件，被配置为通过以共振频率关于平衡位置振荡来生成超声波和接收超声波；锚定部分，将膜元件固定到硅基底，以及压电元件，在膜元件上，压电元件被配置为：当电信号被施加至压电元件时，引起膜元件振荡，以及响应于膜元件的振荡生成电信号，其中，膜元件和锚定部分由单晶硅制成。利用本公开的实施例，在完成的PMUT器件中得到的膜元件的厚度非常精确，并且较少受到工艺失配的影响。
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