公开(公告)号：CN102574676A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045056.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： P·科罗纳 ,  S·洛萨 ,  I·格尔米 ,  R·卡姆佩德利

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。

公开(公告)号：CN102574676B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080045056.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： P·科罗纳 ,  S·洛萨 ,  I·格尔米 ,  R·卡姆佩德利

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。