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公开(公告)号：CN113620232A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110489899.8
申请日：2021-05-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及有改善机械属性的可变形结构的压电致动器及其制造方法。MEMS致动器由围绕腔体的本体和可变形结构形成，可变形结构悬置在腔体上并且由可移动部分和多个可变形元件形成。可变形元件彼此连续地布置，将可移动部分连接到本体，并且每个可变形元件经受变形。MEMS致动器还包括至少一组多个致动结构，致动结构由可变形元件支撑并且被配置为使得可移动部分的平移大于每个可变形元件的变形。每个致动结构具有相应第一压电区域。
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公开(公告)号：CN112992192A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011360102.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。
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公开(公告)号：CN109721022B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201811280031.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的各实施例涉及具有悬置隔膜的压电MEMS设备及其制造过程。一种MEMS设备，包括：主体，具有第一表面和第二表面；隔膜腔体，在主体内并且从主体的第二表面延伸；可变形部分，在主体内并且在第一表面和隔膜腔体之间；和压电致动器，在主体在第一表面上延伸并且在可变形部分之上。MEMS设备的特征在于其包括凹槽结构，该凹槽结构在主体内延伸并且为可变形部分界定止动器部分。
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公开(公告)号：CN114377930B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111201843.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 公开了减小自由振荡的压电微机械超声换能器。一种PMUT设备包括膜元件，该膜元件适于通过在相应的共振频率下围绕平衡位置振荡来产生和接收超声波。压电元件沿第一方向位于膜元件上方，并且被配置为当电信号施加到压电元件时使膜元件振荡，并且响应于膜元件的振荡而产生电信号。阻尼器被配置为减少膜元件的自由振荡，并且阻尼器包括围绕膜元件的阻尼器腔，以及聚合物构件，该聚合物构件的至少一部分沿第一方向在阻尼器腔上方。
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公开(公告)号：CN115938403A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211584388.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110745775A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910660882.7
申请日：2019-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件，第一组件包括：介电区域；再分布区域；以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括：被布置在介电区域中的裸片；以及多个第一和第二连接元件，它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起，第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括：形成包括多个相应的单元部分的第二组件，多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件；机械耦合第一和第二组件，以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件；并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分，从而形成对应膜。
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公开(公告)号：CN110039899B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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公开(公告)号：CN109721022A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811280031.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的各实施例涉及具有悬置隔膜的压电MEMS设备及其制造过程。一种MEMS设备，包括：主体，具有第一表面和第二表面；隔膜腔体，在主体内并且从主体的第二表面延伸；可变形部分，在主体内并且在第一表面和隔膜腔体之间；和压电致动器，在主体在第一表面上延伸并且在可变形部分之上。MEMS设备的特征在于其包括凹槽结构，该凹槽结构在主体内延伸并且为可变形部分界定止动器部分。
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公开(公告)号：CN106197776A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510855249.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器、压力测量设备、制动系统和测量压力的方法，压力传感器(15)带有双测量刻度，包括：柔性本体(16，34)，设计成根据压力(P)而经受偏转；压阻转换器(28，29；94)，用于检测偏转；第一聚焦区域(30)，设计成在第一操作条件过程中将压力(P)的第一值(PINT1)集中在柔性本体的第一部分(19)中，以便使柔性本体的第一部分发生偏转；以及第二聚焦区域(33)，设计成在第二操作条件过程中将所述压力(P)的第二值(PINT2)集中在柔性本体的第二部分(17)中，以便使柔性本体的第一部分二部分发生偏转。压阻转换器将柔性本体的第一部分的偏转关联至第一压力值(PINT1)，并且将柔性本体的第二部分的偏转关联至第二压力值(PINT2)。
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公开(公告)号：CN102344111B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110212573.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01D67/0062 , B01D71/02 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0681 , B81B2201/10 , B81C1/00071 , B81C1/00087 , B81C2201/0133 , B81C2201/0157 , F04B19/006
Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩膜(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩膜(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩膜(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。
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