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公开(公告)号：CN113764567A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110539522.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括：提供硅基材料层，具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面；形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件，以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面；形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件，并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子，第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。
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公开(公告)号：CN115872347A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211188942.8
申请日：2022-09-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括埋腔的微型流体MEMS设备及其制造过程。用于制造微型流体设备的过程，其中在半导体衬底上形成牺牲层；在该牺牲层上形成承载层；选择性地移除该承载层，以形成延伸穿过该承载层的至少一个释放开口；在该至少一个释放开口中形成可渗透半导体材料的可渗透层；通过该可渗透层选择性地移除该牺牲层，以形成流体腔室；用不可渗透半导体填充材料填充该至少一个释放开口，形成具有膜区域的单片主体；在该膜区域上形成致动器元件，并且帽元件附接到该单片主体并且围绕该致动器元件。
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公开(公告)号：CN110039899B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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公开(公告)号：CN110039899A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115872351A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211182729.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于制造微机电系统(MEMS)装置的方法和相关MEMS装置。本公开涉及的用于制造MEMS装置的方法部分地包括：在半导体晶圆上形成第一牺牲电介质区域；在第一牺牲电介质区域上形成半导体材料的结构层；形成穿过结构层的多个第一开口；在结构层上形成第二牺牲电介质区域；在第二牺牲电介质区域上形成半导体材料的顶层；形成穿过顶层的多个第二开口；在顶层上形成可渗透层；选择性地去除第一和第二牺牲电介质区域；以及在可渗透层上形成半导体材料的密封层。
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公开(公告)号：CN218860329U
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202222560968.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电系统装置。该微机电系统装置是从单个半导体晶圆制造的。该微机电系统装置包括：基础区域，其包括半导体衬底；半导体材料的结构层，在基础区域上并且包括多个第一开口，结构层在横向上为至少一个功能元件划界；半导体材料的顶层，在结构层上并且包括多个第二开口；转换层，在顶层上并且在多个第二开口之上；以及半导体材料的密封层，在转换层上。
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公开(公告)号：CN215496783U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121062528.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成热电转换器。一种集成热电转换器，包括：第一柱结构，第一柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中的一项，并且被掺杂有第一导电类型；第二柱结构，第二柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中一项，并且被掺杂有第二导电类型；以及第一导电互连结构，与第一柱结构的第一端以及第二柱结构的第一端电接触。利用本公开的实施例的集成热电转换器有利地易于工业化，提供了mA量级的功率电平，半导体面积消耗低，以低温差或高温差工作。
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公开(公告)号：CN219003514U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202222574456.1
申请日：2022-09-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B05B17/04
Abstract: 本公开涉及微型流体设备。微型流体设备包括：具有限定第一面的外围表面单片主体、在单片主体中的流体腔室、从单片主体的外围表面延伸并且与流体腔室流体连通的第一流体开口、在单片主体上方延伸并且附接到第一面的帽元件、在帽元件与单片主体的第一面之间延伸的致动器腔室、在单片主体中在第一面与流体腔室之间延伸的膜区域、和在第一面上、膜区域上方、致动器腔室内部延伸的压电致动器元件。膜区域的至少一个第一区包括多晶硅的第一部分和多晶硅的第二部分。膜区域的第二区包括多晶硅的第三部分。第一部分的第一晶体结构具有比第二部分的第二晶体结构和第三部分的第三晶体结构更小的平均粒度。
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公开(公告)号：CN210082663U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920070358.X
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于喷射流体的设备以及流体喷射设备。一种用于喷射流体的设备，包括：第一半导体本体，包括喷嘴和第一凹槽，第一凹槽限定腔室的第一部分，喷嘴被流体耦合到第一部分；以及第二半导体本体，具有膜和第二凹槽，第二凹槽限定腔室的第二部分，致动器操作性地被耦合到膜，其中第一半导体本体和第二半导体本体被耦合在一起，以便第一部分和第二部分共同形成被配置成容纳流体的腔室，以及其中第一部分限定腔室的总体积的第一体积，并且第二部分限定腔室的总体积的第二体积，第一体积大于第二体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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