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公开(公告)号：CN109910435B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN110039899B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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公开(公告)号：CN106926582B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN109278407A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810790541.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有压电致动的微流体MEMS器件及其制造工艺。一种微流体器件具有多个喷射器元件。每个喷射器元件包括：容纳第一流体流动通道和致动器室的第一区域；容纳流体容纳室的第二区域；以及容纳第二流体流动通道的第三区域。流体容纳室流体耦合到第一和第二流体流动通道。第二区域由膜层、膜限定层和流体腔室限定体形成，膜限定层机械地耦合到膜层并且具有膜限定开口，流体腔室限定体机械地耦合到膜限定层并且具有腔室限定开口，腔室限定开口的宽度大于膜限定开口的宽度。因此，膜的宽度由腔室限定开口的宽度限定。
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公开(公告)号：CN106926582A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1626 , B41J2/01 , B41J2/135 , B41J2/16 , B41J2/1607 , B41J2/161 , B41J2/162 , B41J2/1621 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , Y10T29/49401 , B33Y30/00 , B41J2/14
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106807568B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610490850.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有限制通道的流体喷射设备及其制造方法。提供一种流体喷射设备(1)包括：第一半导体本体(2)，包括操作性地耦合至用于包含流体的室(6)并被配置为引起流体的喷射的致动器(3)以及在第一方向(Z)上延伸并具有第一尺寸(A1)的截面的用于流体的入口通道(11a)；以及第二半导体本体(8)，耦合至第一半导体本体(2)并具有被配置为排出流体的喷射喷嘴(13)。第二半导体本体(8)还包括第一限制通道(16)，第一限制通道流体地耦合至入口通道(11a)、在与第一方向(Z)垂直的第二方向(X)上延伸并具有小于第一尺寸(A1)的第二尺寸(A3)的相应截面，以在入口通道(11a)与室(6)之间形成限制。
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公开(公告)号：CN109910435A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN109278407B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201810790541.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有压电致动的微流体MEMS器件及其制造工艺。一种微流体器件具有多个喷射器元件。每个喷射器元件包括：容纳第一流体流动通道和致动器室的第一区域；容纳流体容纳室的第二区域；以及容纳第二流体流动通道的第三区域。流体容纳室流体耦合到第一和第二流体流动通道。第二区域由膜层、膜限定层和流体腔室限定体形成，膜限定层机械地耦合到膜层并且具有膜限定开口，流体腔室限定体机械地耦合到膜限定层并且具有腔室限定开口，腔室限定开口的宽度大于膜限定开口的宽度。因此，膜的宽度由腔室限定开口的宽度限定。
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公开(公告)号：CN110039899A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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公开(公告)号：CN106807568A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610490850.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有限制通道的流体喷射设备及其制造方法。提供一种流体喷射设备(1)包括：第一半导体本体(2)，包括操作性地耦合至用于包含流体的室(6)并被配置为引起流体的喷射的致动器(3)以及在第一方向(Z)上延伸并具有第一尺寸(A1)的截面的用于流体的入口通道(11a)；以及第二半导体本体(8)，耦合至第一半导体本体(2)并具有被配置为排出流体的喷射喷嘴(13)。第二半导体本体(8)还包括第一限制通道(16)，第一限制通道流体地耦合至入口通道(11a)、在与第一方向(Z)垂直的第二方向(X)上延伸并具有小于第一尺寸(A1)的第二尺寸(A3)的相应截面，以在入口通道(11a)与室(6)之间形成限制。
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