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公开(公告)号：CN109910435B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN106926582B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106926582A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1626 , B41J2/01 , B41J2/135 , B41J2/16 , B41J2/1607 , B41J2/161 , B41J2/162 , B41J2/1621 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , Y10T29/49401 , B33Y30/00 , B41J2/14
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN106807568A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610490850.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有限制通道的流体喷射设备及其制造方法。提供一种流体喷射设备(1)包括：第一半导体本体(2)，包括操作性地耦合至用于包含流体的室(6)并被配置为引起流体的喷射的致动器(3)以及在第一方向(Z)上延伸并具有第一尺寸(A1)的截面的用于流体的入口通道(11a)；以及第二半导体本体(8)，耦合至第一半导体本体(2)并具有被配置为排出流体的喷射喷嘴(13)。第二半导体本体(8)还包括第一限制通道(16)，第一限制通道流体地耦合至入口通道(11a)、在与第一方向(Z)垂直的第二方向(X)上延伸并具有小于第一尺寸(A1)的第二尺寸(A3)的相应截面，以在入口通道(11a)与室(6)之间形成限制。
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公开(公告)号：CN106807568B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610490850.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有限制通道的流体喷射设备及其制造方法。提供一种流体喷射设备(1)包括：第一半导体本体(2)，包括操作性地耦合至用于包含流体的室(6)并被配置为引起流体的喷射的致动器(3)以及在第一方向(Z)上延伸并具有第一尺寸(A1)的截面的用于流体的入口通道(11a)；以及第二半导体本体(8)，耦合至第一半导体本体(2)并具有被配置为排出流体的喷射喷嘴(13)。第二半导体本体(8)还包括第一限制通道(16)，第一限制通道流体地耦合至入口通道(11a)、在与第一方向(Z)垂直的第二方向(X)上延伸并具有小于第一尺寸(A1)的第二尺寸(A3)的相应截面，以在入口通道(11a)与室(6)之间形成限制。
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公开(公告)号：CN109910435A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN206121999U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201620658386.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2/1607 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2002/14241 , B41J2002/14411 , B41J2202/12
Abstract: 一种流体喷射设备，包括：第一半导体本体，包括操作性地耦合至用于包含流体的室并被配置为引起流体的喷射的致动器以及在第一方向上延伸并具有第一尺寸的截面的用于流体的入口通道；以及第二半导体本体，耦合至第一半导体本体并具有被配置为排出流体的喷射喷嘴。第二半导体本体还包括第一限制通道，第一限制通道流体地耦合至入口通道、在与第一方向垂直的第二方向上延伸并具有小于第一尺寸的第二尺寸的相应截面，以在入口通道与室之间形成限制。根据本实用新型的方案，提供了具有限制通道的流体喷射设备。
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