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公开(公告)号：CN113764567A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110539522.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括：提供硅基材料层，具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面；形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件，以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面；形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件，并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子，第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。
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公开(公告)号：CN102344111B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110212573.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01D67/0062 , B01D71/02 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0681 , B81B2201/10 , B81C1/00071 , B81C1/00087 , B81C2201/0133 , B81C2201/0157 , F04B19/006
Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩膜(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩膜(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩膜(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。
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公开(公告)号：CN102344111A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110212573.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01D67/0062 , B01D71/02 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0681 , B81B2201/10 , B81C1/00071 , B81C1/00087 , B81C2201/0133 , B81C2201/0157 , F04B19/006
Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩模(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩模(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩模(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。
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公开(公告)号：CN215496783U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121062528.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成热电转换器。一种集成热电转换器，包括：第一柱结构，第一柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中的一项，并且被掺杂有第一导电类型；第二柱结构，第二柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中一项，并且被掺杂有第二导电类型；以及第一导电互连结构，与第一柱结构的第一端以及第二柱结构的第一端电接触。利用本公开的实施例的集成热电转换器有利地易于工业化，提供了mA量级的功率电平，半导体面积消耗低，以低温差或高温差工作。
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