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公开(公告)号：CN117929523A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311372410.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于监测集成系统封装件内的缺陷的系统。一种集成电子系统，具有由支撑基座和布置在支撑基座上的涂覆区域形成并且具有至少第一系统管芯的封装件，该至少第一系统管芯包括半导体材料，耦接到支撑基座并布置在涂覆区域中。集成电子系统在封装件内还具有监测系统，该监测系统被配置为通过声检测波的发射和相应的接收声波的采集来确定涂覆区域内缺陷的发生，该声检测波的特性受上述缺陷的影响，并且因此指示上述缺陷。
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公开(公告)号：CN114252989A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111114931.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电子模块包括：半导体材料的第一管芯，其包括第一反射器；半导体材料的第二管芯，其包括第二反射器；以及框架，其包括彼此平行的第一支撑部和第二支撑部。第一管芯和第二管芯分别由第一支撑部和第二支撑部承载，并且分别布置成使得第一反射器面向第二支撑部、并且第二反射器面向第一支撑部。入射光束撞击在第一反射器上并在第二反射器上反射，从而在来自电子模块的输出处被提供。
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公开(公告)号：CN110745775A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910660882.7
申请日：2019-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件，第一组件包括：介电区域；再分布区域；以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括：被布置在介电区域中的裸片；以及多个第一和第二连接元件，它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起，第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括：形成包括多个相应的单元部分的第二组件，多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件；机械耦合第一和第二组件，以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件；并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分，从而形成对应膜。
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公开(公告)号：CN108254609A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710380907.9
申请日：2017-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电流传感器器件和对应的电子器件。集成电流传感器器件耦合到第一导电线，集成电流传感器器件具有：封装体；采用导电材料的支撑结构，支撑结构布置在封装体内；裸片，由封装体内的支撑结构携载并且集成沿着传感器轴线对准布置的第一和第二磁场传感器元件以及电子电路，电子电路操作性地耦合到第一和第二磁场传感器元件以实现差分检测。支撑结构限定针对封装体内的电流的路径，路径具有：第一路径部分，在第一磁场传感器元件处延伸；第二路径部分，在第二磁场传感器元件处延伸；以及第三路径部分，连接第一和第二路径部分；其中，第一和第二路径部分相对于横向轴线布置在传感器轴线的对向侧，横向轴线横向于传感器轴线。
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公开(公告)号：CN114823637A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210092662.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统。一种封装电子系统，其具有由绝缘有机衬底形成的支撑，所述绝缘有机衬底容纳浮置的掩埋导电区域。第一裸片固定在支撑件上，并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域。第二裸片固定在支撑件上，并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第二部分的第二裸片接触区域。封装质量块包围第一裸片、第二裸片、第一裸片接触区域、第二裸片接触区域和至少部分支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111792620A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010245402.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制造电子设备的方法以及对应的电子设备。第一电子部件(诸如传感器)，具有相对的第一表面和第二表面和第一厚度，被布置在支撑构件上，使第二表面面向支撑构件。第二电子部件(诸如被安装在衬底上的集成电路)，具有小于第一厚度的第二厚度，被布置在支撑构件上，具有与第二电子部件相对并且面向支撑构件的衬底表面。封装模制材料被模制到支撑构件上以包封第二电子部件，同时使第一电子部件的第一表面暴露。然后移除支撑构件以暴露第一电子部件的第二表面和衬底的衬底表面。
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公开(公告)号：CN216310417U
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202122303930.2
申请日：2021-09-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种电子模块和电子系统，电子模块包括：半导体材料的第一管芯，其包括第一反射器；半导体材料的第二管芯，其包括第二反射器；以及框架，其包括彼此平行的第一支撑部和第二支撑部。第一管芯和第二管芯分别由第一支撑部和第二支撑部承载，并且分别布置成使得第一反射器面向第二支撑部、并且第二反射器面向第一支撑部。
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公开(公告)号：CN210710732U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201921150671.0
申请日：2019-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件，第一组件包括：介电区域；再分布区域；以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括：被布置在介电区域中的裸片；以及多个第一和第二连接元件，它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起，第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括：形成包括多个相应的单元部分的第二组件，多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件；机械耦合第一和第二组件，以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件；并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分，从而形成对应膜。
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公开(公告)号：CN217544608U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220214158.9
申请日：2022-01-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置。一种半导体装置，包括：支撑件，包括绝缘基板，绝缘基板具有：掩埋导电区域；第一裸片，固定到支撑件，第一裸片具有第一表面，第一表面具有电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域；第二裸片，固定至支撑件，第二裸片具有第一表面，第一表面具有第二裸片接触区域，第二裸片接触区域电容耦合至掩埋导电区域的第二部分；第一外部连接区域和第二外部连接区域，在第一方向上彼此间隔一定距离，掩埋导电区域位于第一外部连接区域和第二外部连接区域之间；绝缘材料。本公开的实施例有利地在分辨率、空间尺寸控制和对准方面具有优势。
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公开(公告)号：CN212387732U
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202020446628.5
申请日：2020-03-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及电子设备。该电子设备包括撑构件；第一电子部件，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一电子部件被布置在支撑构件上，其中第二表面面向支撑构件，其中第一电子部件具有在相对的第一表面与第二表面之间的第一厚度；衬底；第二电子部件，被安装在衬底上，其中衬底被布置在支撑构件上，衬底具有与第二电子部件相对的、并且面向支撑构件的衬底表面，其中被组合的衬底、以及被安装在衬底上的第二电子部件具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；以及封装模制材料，封装模制材料包封第二电子部件，但使第一电子部件的相对的第一表面和第二表面、以及衬底的衬底表面暴露。本公开的实施例能够实现较薄的总封装厚度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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