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公开(公告)号：CN111983801B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010444104.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于补偿不期望的运动的微机电系统(MEMS)压电致动器及其制造工艺。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体，其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部，第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架，第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。
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公开(公告)号：CN108254706A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710515501.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器。例如，一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2)，该感应结构具有：衬底(6)；外部框架(4)，该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7)，该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定；可移动结构(10)，该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P)；以及弹性安排(22，24)，该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。该可移动结构由于该第一弹性元件和该第二弹性元件以及弹性元件的该安排而执行：响应于源自第一磁场分量(Bx)的洛伦兹力的第一感应移动、响应于源自第二磁场分量(By)的洛伦兹力的第二感应移动、以及响应于源自第三磁场分量(Bz)的洛伦兹力的第三感应移动；该第一、第二和第三感应移动是不同的并且与彼此去耦。
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公开(公告)号：CN108254706B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710515501.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器。例如，一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2)，该感应结构具有：衬底(6)；外部框架(4)，该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7)，该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定；可移动结构(10)，该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P)；以及弹性安排(22，24)，该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。该可移动结构由于该第一弹性元件和该第二弹性元件以及弹性元件的该安排而执行：响应于源自第一磁场分量(Bx)的洛伦兹力的第一感应移动、响应于源自第二磁场分量(By)的洛伦兹力的第二感应移动、以及响应于源自第三磁场分量(Bz)的洛伦兹力的第三感应移动；该第一、第二和第三感应移动是不同的并且与彼此去耦。
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公开(公告)号：CN109384190A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810885372.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及包括膜和致动器的MEMS器件。MEMS器件包括具有第一腔体的半导体支撑体，包括固定到支撑体的周边部分和悬置部分的膜。第一可变形结构与膜的悬置部分的中心部分相隔一段距离，并且第二可变形结构朝向膜的周边部分而相对于第一可变形结构横向偏移。将突出区域固定在膜下方。第二可变形结构是可变形的，以便沿第一方向平移膜的悬置部分的中心部分，并且第一可变形结构是可变形的，以便沿第二方向平移膜的悬置部分的中心部分。
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公开(公告)号：CN111983801A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010444104.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于补偿不期望的运动的微机电系统(MEMS)压电致动器及其制造工艺。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体，其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部，第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架，第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108254609A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710380907.9
申请日：2017-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电流传感器器件和对应的电子器件。集成电流传感器器件耦合到第一导电线，集成电流传感器器件具有：封装体；采用导电材料的支撑结构，支撑结构布置在封装体内；裸片，由封装体内的支撑结构携载并且集成沿着传感器轴线对准布置的第一和第二磁场传感器元件以及电子电路，电子电路操作性地耦合到第一和第二磁场传感器元件以实现差分检测。支撑结构限定针对封装体内的电流的路径，路径具有：第一路径部分，在第一磁场传感器元件处延伸；第二路径部分，在第二磁场传感器元件处延伸；以及第三路径部分，连接第一和第二路径部分；其中，第一和第二路径部分相对于横向轴线布置在传感器轴线的对向侧，横向轴线横向于传感器轴线。
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公开(公告)号：CN109384190B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810885372.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及包括膜和致动器的MEMS器件。MEMS器件包括具有第一腔体的半导体支撑体，包括固定到支撑体的周边部分和悬置部分的膜。第一可变形结构与膜的悬置部分的中心部分相隔一段距离，并且第二可变形结构朝向膜的周边部分而相对于第一可变形结构横向偏移。将突出区域固定在膜下方。第二可变形结构是可变形的，以便沿第一方向平移膜的悬置部分的中心部分，并且第一可变形结构是可变形的，以便沿第二方向平移膜的悬置部分的中心部分。
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公开(公告)号：CN114373742A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111191134.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件。一种电极结构，包括：焊盘，由导电材料制成；以及导电条，具有物理地且电气地耦合到焊盘的第一端。焊盘包括在内部限定贯通开口的环形元件。导电条的第一端通过过渡区域物理地且电气地耦合到环形元件，使得当导电条由于热效应而膨胀时，应力通过过渡区域从导电条扩散到环形元件。
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公开(公告)号：CN106291414B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201510860677.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及大规模的集成AMR磁电阻器。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。
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公开(公告)号：CN106291414A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510860677.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及大规模的集成AMR磁电阻器。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。
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