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公开(公告)号：CN113325916B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110226517.2
申请日：2021-03-01
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 实施例公开了电压‑电流转换器、相应的设备和方法。一种示例电压‑电流转换器电路，包括第一放大器和第二放大器，该第一放大器和第二放大器具有被配置为在其间接收电压信号的同源的第一输入节点，以及具有耦合在其间的电阻器的同源的第二输入节点。提供包括第一输入晶体管的第一电流镜电路装置和第二电流镜电路装置，第一输入晶体管的控制端子耦合到放大器的输出节点。具有第一电流输出节点和第二电流输出节点的第一电流感测电路装置和第二电流感测电路装置耦合到电流镜电路装置的电流镜输出节点，并被配置为在其间提供电流，该电流是放大器的同源的第一输入节点之间的电压信号的函数。
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公开(公告)号：CN102183990A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010625103.9
申请日：2010-12-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/20
CPC classification number: G05F3/30
Abstract: 一种用于产生参考电学量(IREF，VREF)的电路，包括：第一双极晶体管(Tbjt1)和第二双极晶体管(Tbjt2)，其基极端彼此连接并连接至公共节点(NC)；连接至第二双极晶体管(Tbjt2)的发射极端的第一电阻器(RA)；连接至第一和第二双极晶体管(Tbjt1，Tbjt2)的第一和第二镜像电路(T1，T2，Ts1，Ts3，Tm，Ts2，Ts4)，其分别接收第一电流(IPTAT)和第二电流(INTAT)并分别生成第一镜像电流(γIPTAT)和第二镜像电流(αINTAT)；第一输出级(6，8)，其生成作为第一和第二镜像电流(γIPTAT，αINTAT)的函数的参考电学量(IREF，VREF)；以及连接至公共节点(NC)的第二电阻器(RB)。第一电流(IPTAT)为第一电阻器(RA)中电流的函数，而第二电流(INTAT)为第二电阻器(RB)中电流的函数。
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公开(公告)号：CN108667452B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201710908470.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本申请公开了差分电流传输器电路、对应的设备及其操作方法。差分电流传输器电路包括：两个或更多个单端电流传输器级、以及共用偏置级。第一开关和第二开关被设置在共用偏置级中的晶体管的控制端子与单端级的第一耦合线和第二耦合线中的相应的一个耦合线之间，第一开关和第二开关可以在以下之间切换：电路的复位状态，其中共用偏置级中的晶体管耦合到第一耦合线和第二耦合线，单端级被设置为偏置条件；以及电路的感测状态，其中共用偏置级中的晶体管从第一耦合线和第二耦合线去耦合，单端级处于高阻抗状态，单端级的输入晶体管的控制端被电容地耦合到输入端子。
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公开(公告)号：CN113325916A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110226517.2
申请日：2021-03-01
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 实施例公开了电压‑电流转换器、相应的设备和方法。一种示例电压‑电流转换器电路，包括第一放大器和第二放大器，该第一放大器和第二放大器具有被配置为在其间接收电压信号的同源的第一输入节点，以及具有耦合在其间的电阻器的同源的第二输入节点。提供包括第一输入晶体管的第一电流镜电路装置和第二电流镜电路装置，第一输入晶体管的控制端子耦合到放大器的输出节点。具有第一电流输出节点和第二电流输出节点的第一电流感测电路装置和第二电流感测电路装置耦合到电流镜电路装置的电流镜输出节点，并被配置为在其间提供电流，该电流是放大器的同源的第一输入节点之间的电压信号的函数。
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公开(公告)号：CN108664077B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710906580.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及电流传送器电路、对应的设备、装置和方法。电路包括第一晶体管，第一晶体管具有控制端子、以及在第一和第二电流路径端子之间的电流路径。第二晶体管具有控制端子、以及在第一和第二电流路径端子之间的电流路径。第一晶体管的第一电流路径端子在中间点处被耦合到第二晶体管的第一电流路径端子。第一电流缓冲器具有输入和输出。第一电流缓冲器的输入被耦合到第一晶体管的第二电流路径端子。第二电流缓冲器具有输入和输出，第二电流缓冲器的输入被耦合到第二晶体管的第二电流路径端子。求和节点被耦合到第一电流缓冲器和第二电流缓冲器的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108667452A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710908470.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: G06F3/0416 , G05F3/10 , G05F3/262 , G06F3/0418 , G06F3/044 , G06F2203/04104 , H03F3/34 , H03F3/345 , H03H11/025
Abstract: 本申请公开了差分电流传输器电路、对应的设备及其操作方法。差分电流传输器电路包括：两个或更多个单端电流传输器级、以及共用偏置级。第一开关和第二开关被设置在共用偏置级中的晶体管的控制端子与单端级的第一耦合线和第二耦合线中的相应的一个耦合线之间，第一开关和第二开关可以在以下之间切换：电路的复位状态，其中共用偏置级中的晶体管耦合到第一耦合线和第二耦合线，单端级被设置为偏置条件；以及电路的感测状态，其中共用偏置级中的晶体管从第一耦合线和第二耦合线去耦合，单端级处于高阻抗状态，单端级的输入晶体管的控制端被电容地耦合到输入端子。
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公开(公告)号：CN115248340A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210455358.8
申请日：2022-04-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： P·安吉利尼
Abstract: 公开了电流感测电路。根据实施例，一种测量流过耦接在源极节点与负载节点之间的电流测量电阻器的负载电流的方法包括：当复制电阻器的第一端耦接到源极节点并且复制电阻器的第二端耦接到参考电流源时，测量复制电阻器两端的第一电压；当复制电阻器的第二端耦接到源极节点并且复制电阻器的第一端耦接到参考电流源时，测量复制电阻器两端的第二电压；测量电流感测电阻器两端的第三电压；以及基于所测量的第一电压、所测量的第二电压和所测量的第三电压，计算负载电流的校正电流测量值。
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公开(公告)号：CN108664077A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710906580.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及电流传送器电路、对应的设备、装置和方法。电路包括第一晶体管，第一晶体管具有控制端子、以及在第一和第二电流路径端子之间的电流路径。第二晶体管具有控制端子、以及在第一和第二电流路径端子之间的电流路径。第一晶体管的第一电流路径端子在中间点处被耦合到第二晶体管的第一电流路径端子。第一电流缓冲器具有输入和输出。第一电流缓冲器的输入被耦合到第一晶体管的第二电流路径端子。第二电流缓冲器具有输入和输出，第二电流缓冲器的输入被耦合到第二晶体管的第二电流路径端子。求和节点被耦合到第一电流缓冲器和第二电流缓冲器的输出。
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公开(公告)号：CN108254609A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710380907.9
申请日：2017-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电流传感器器件和对应的电子器件。集成电流传感器器件耦合到第一导电线，集成电流传感器器件具有：封装体；采用导电材料的支撑结构，支撑结构布置在封装体内；裸片，由封装体内的支撑结构携载并且集成沿着传感器轴线对准布置的第一和第二磁场传感器元件以及电子电路，电子电路操作性地耦合到第一和第二磁场传感器元件以实现差分检测。支撑结构限定针对封装体内的电流的路径，路径具有：第一路径部分，在第一磁场传感器元件处延伸；第二路径部分，在第二磁场传感器元件处延伸；以及第三路径部分，连接第一和第二路径部分；其中，第一和第二路径部分相对于横向轴线布置在传感器轴线的对向侧，横向轴线横向于传感器轴线。
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公开(公告)号：CN207397149U
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201721267405.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/10 , G05F3/262 , G06F3/0416 , G06F3/0418 , G06F3/044 , H03F3/34 , H03F2200/91
Abstract: 本公开涉及电流传送器电路以及对应的设备。电路包括第一晶体管，第一晶体管具有控制端子、以及在第一和第二电流路径端子之间的电流路径。第二晶体管具有控制端子、以及在第一和第二电流路径端子之间的电流路径。第一晶体管的第一电流路径端子在中间点处被耦合到第二晶体管的第一电流路径端子。第一电流缓冲器具有输入和输出。第一电流缓冲器的输入被耦合到第一晶体管的第二电流路径端子。第二电流缓冲器具有输入和输出，第二电流缓冲器的输入被耦合到第二晶体管的第二电流路径端子。求和节点被耦合到第一电流缓冲器和第二电流缓冲器的输出。
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