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公开(公告)号：CN109454995A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811204454.5
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN110422820A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910081902.5
申请日：2019-01-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造半导体裸片的方法、半导体裸片、封装件以及电子系统。该方法，包括以下步骤：提供MEMS设备，其具有设置有腔体的结构本体和悬挂在腔体之上的膜结构；经由直接接合或熔合接合将结构本体耦合至过滤模块，使过滤模块的第一部分在腔体之上延伸，并且过滤模块的第二部分无缝地延伸作为结构本体的延长；以及在对应于第一部分的区域中蚀刻过滤模块的选择部分，以形成流体耦合至腔体的过滤开口。例如，半导体芯片是麦克风。
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公开(公告)号：CN105562237B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种微流体器件以及制造微流体器件的方法。微流体器件具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN104249990B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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公开(公告)号：CN108249387B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710500966.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108249387A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710500966.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B3/0083 , B81B2201/032 , B81B2201/042 , B81B2203/0307 , B81B2203/058 , B81C1/00714 , B81C2203/032 , G02B26/105
Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。
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公开(公告)号：CN114572928A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111430582.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
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公开(公告)号：CN109454995B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811204454.5
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN105562237A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B05B9/03 , B05C5/001 , B81C1/00047 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C3/001 , B81C2201/0111 , B81C2201/013 , B81C2203/03
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN104249990A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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