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公开(公告)号：CN106257254A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510857502.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及生成具有降低的环境温度依赖性的换能信号的压力传感器及其制造方法。被设计为检测压力传感器外部的环境的环境压力值(PA)的压力传感器(31)包括：第一基板(12)，具有掩埋腔(16)和悬挂在掩埋腔之上的膜(18)；第二基板(14)，具有凹部(14’)，凹部气密耦合到第一基板(12)，使得凹部限定密封腔(24)，密封腔的内部压力值提供压力基准值(PREF)；以及通道(32)，至少部分地形成在第一基板(12)中，并且被配置为将掩埋腔(16)布置为与压力传感器外部的环境连通。膜经受根据密封腔(24)中的压力基准值(PREF)和掩埋腔中的环境压力值(PA)之间的压力差的偏斜。
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公开(公告)号：CN117420672A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310873531.0
申请日：2023-07-17
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有压电致动的MEMS反射镜器件及其制造方法。本文公开了一种微机电反射镜器件，其具有：固定结构，限定对腔进行界定的外部框架；可倾斜结构，延伸到腔中；反射表面，由可倾斜结构承载，并且在水平平面中具有主延伸部；以及致动结构，被耦合在可倾斜结构和固定结构之间。致动结构由第一致动臂对形成，使得可倾斜结构围绕平行于水平平面的第一轴旋转。致动臂借助弹性耦合元件而弹性耦合到可倾斜结构，并且各自由轴承结构和压电结构形成。每个致动臂的轴承结构由第一材料的软区域形成，并且弹性耦合元件由第二材料的轴承层形成，第二材料具有比第一材料更大的刚度。
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公开(公告)号：CN108732743B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810355632.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及振荡结构、光学设备以及制造振荡结构的方法。一种振荡结构，包括限定了旋转轴的第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件以及插入在第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件之间的移动元件。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于第一平面中并且彼此不直接接触。耦合结构将移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件机械地耦合在一起。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于不同于第一平面的第二平面中。移动元件的振荡由于第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件的扭曲而发生。
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公开(公告)号：CN108732743A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810355632.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , G02B26/08 , G02B26/0816 , G02B26/10 , G02B26/105
Abstract: 本申请涉及振荡结构、光学设备以及制造振荡结构的方法。一种振荡结构，包括限定了旋转轴的第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件以及插入在第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件之间的移动元件。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于第一平面中并且彼此不直接接触。耦合结构将移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件机械地耦合在一起。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于不同于第一平面的第二平面中。移动元件的振荡由于第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件的扭曲而发生。
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公开(公告)号：CN108249382A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710401489.7
申请日：2017-05-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0858 , B81B3/0083 , B81B2201/032 , B81B2203/0118 , G02B26/105 , H04N9/3129
Abstract: 本发明涉及具有压电致动的MEMS设备、投射MEMS系统以及相关驱动方法。一种MEMS设备，包括：固定的结构和悬置的结构，悬置的结构包括内部结构以及第一臂和第二臂，第一臂和第二臂中的每一个具有对应第一端和对应第二端，第一端被固定至固定的结构并且相隔一定距离成角度地安排，第二端被固定至内部结构，相隔一定距离成角度地安排并且相对于这些相应第一端在同一旋转方向上成角度地安排。MEMS设备进一步包括多个压电致动器，多个压电致动器中的每一个可被驱动，以便引起相应臂的变形，因此引起内部结构的旋转。在静止状况下，第一臂和第二臂中的每一个包括具有对应凹陷的对应细长部分。内部框架在第一臂和第二臂的这些细长部分的这些凹陷内部分地延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108249387B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710500966.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。
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公开(公告)号：CN111320131A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911279449.5
申请日：2019-12-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： R·卡尔米纳蒂 , S·克斯坦蒂尼 , R·吉亚诺拉 , L·蒙塔格纳 , F·M·C·卡尔皮格纳诺
Abstract: MEMS设备通过以下方式获得：在半导体本体上形成临时偏置结构；以及在半导体本体上形成致动线圈，致动线圈至少具有一个第一端匝、一个第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间，并且通过临时偏置结构被电耦合至第一端匝。以此方式，在电镀生长期间中间端匝以与第一端匝近似相同的电势被偏置，并且在生长结束时，致动线圈具有近似均匀的厚度。在电镀生长结束时，临时偏置结构的部分被选择性地去除，以将第一端匝与中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，虚设偏置区域与第一端匝相邻。
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公开(公告)号：CN110894060A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910858240.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的实施方式涉及用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法。底部半导体区域被形成为包括：主子区域，延伸穿过覆盖半导体晶片的底部介电区域；以及次子区域，次子区域覆盖底部介电区域并围绕主子区域。第一顶部腔室和第二顶部腔室被形成为穿过晶片，界定固定本体和图案化结构，图案化结构包括与主子区域接触的中心部分以及与底部介电区域接触的可变形部分。底部腔室穿过底部半导体区域形成，直到底部介电区域，底部腔室侧向界定包括主子区域的加强区域并且留下暴露的部分底部介电区域和界定第一顶部腔室和第二顶部腔室的部分底部介电区域，暴露的部分底部介电区域与可变形部分接触。留下来由底部腔室暴露的部分被选择性地移除。
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公开(公告)号：CN106257254B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201510857502.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及生成具有降低的环境温度依赖性的换能信号的压力传感器及其制造方法。被设计为检测压力传感器外部的环境的环境压力值(PA)的压力传感器(31)包括：第一基板(12)，具有掩埋腔(16)和悬挂在掩埋腔之上的膜(18)；第二基板(14)，具有凹部(14’)，凹部气密耦合到第一基板(12)，使得凹部限定密封腔(24)，密封腔的内部压力值提供压力基准值(PREF)；以及通道(32)，至少部分地形成在第一基板(12)中，并且被配置为将掩埋腔(16)布置为与压力传感器外部的环境连通。膜经受根据密封腔(24)中的压力基准值(PREF)和掩埋腔中的环境压力值(PA)之间的压力差的偏斜。
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公开(公告)号：CN108249387A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710500966.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B3/0083 , B81B2201/032 , B81B2201/042 , B81B2203/0307 , B81B2203/058 , B81C1/00714 , B81C2203/032 , G02B26/105
Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。
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