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公开(公告)号：CN110894060A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910858240.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的实施方式涉及用于制造具有移动结构的微机电装置、特别是微镜的方法。底部半导体区域被形成为包括：主子区域，延伸穿过覆盖半导体晶片的底部介电区域；以及次子区域，次子区域覆盖底部介电区域并围绕主子区域。第一顶部腔室和第二顶部腔室被形成为穿过晶片，界定固定本体和图案化结构，图案化结构包括与主子区域接触的中心部分以及与底部介电区域接触的可变形部分。底部腔室穿过底部半导体区域形成，直到底部介电区域，底部腔室侧向界定包括主子区域的加强区域并且留下暴露的部分底部介电区域和界定第一顶部腔室和第二顶部腔室的部分底部介电区域，暴露的部分底部介电区域与可变形部分接触。留下来由底部腔室暴露的部分被选择性地移除。
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公开(公告)号：CN210944855U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201921509424.5
申请日：2019-09-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的实施方式涉及微机电装置、投影仪系统、便携式电子设备和电子装置。底部半导体区域被形成为包括：主子区域，延伸穿过覆盖半导体晶片的底部介电区域；以及次子区域，次子区域覆盖底部介电区域并围绕主子区域。第一顶部腔室和第二顶部腔室被形成为穿过晶片，界定固定本体和图案化结构，图案化结构包括与主子区域接触的中心部分以及与底部介电区域接触的可变形部分。底部腔室穿过底部半导体区域形成，直到底部介电区域，底部腔室侧向界定包括主子区域的加强区域并且留下暴露的部分底部介电区域和界定第一顶部腔室和第二顶部腔室的部分底部介电区域，暴露的部分底部介电区域与可变形部分接触。留下来由底部腔室暴露的部分被选择性地移除。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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