公开(公告)号：CN111320131A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911279449.5

申请日：2019-12-13

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·卡尔米纳蒂 ,  S·克斯坦蒂尼 ,  R·吉亚诺拉 ,  L·蒙塔格纳 ,  F·M·C·卡尔皮格纳诺

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: MEMS设备通过以下方式获得：在半导体本体上形成临时偏置结构；以及在半导体本体上形成致动线圈，致动线圈至少具有一个第一端匝、一个第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间，并且通过临时偏置结构被电耦合至第一端匝。以此方式，在电镀生长期间中间端匝以与第一端匝近似相同的电势被偏置，并且在生长结束时，致动线圈具有近似均匀的厚度。在电镀生长结束时，临时偏置结构的部分被选择性地去除，以将第一端匝与中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，虚设偏置区域与第一端匝相邻。

公开(公告)号：CN211770290U

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201922231187.7

申请日：2019-12-13

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·卡尔米纳蒂 ,  S·克斯坦蒂尼 ,  R·吉亚诺拉 ,  L·蒙塔格纳 ,  F·M·C·卡尔皮格纳诺

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 根据本公开的实施例涉及一种MEMS设备，包括：固定结构；悬置结构，由固定结构承载；支撑结构，将悬置结构耦合到固定结构，并且被配置为允许悬置结构相对于固定结构具有至少一个自由度；致动线圈，在悬置结构上延伸，致动线圈包括第一端匝、第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间；以及虚设偏置结构，包括虚设偏置区域，虚设偏置区域与第一端匝相邻并且被电耦合到中间匝。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利