公开(公告)号：CN111463148A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010072318.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·塞吉齐 ,  L·蒙塔格纳 ,  G·维萨利 ,  M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开的实施例涉及制造具有改善的空间占用率的集成部件的方法以及集成部件。一种半导体材料的第一晶片具有表面。一种半导体材料的第二晶片包括衬底和在该衬底上的结构层。结构层集成了用于监测电磁辐射的检测器设备。第二晶片的结构层被耦合到第一晶片的表面。第二晶片的衬底被成形以形成微镜的定子、转子和移动质量块。定子和转子形成用于电容性地驱动移动质量块的组件。

公开(公告)号：CN111320131A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911279449.5

申请日：2019-12-13

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·卡尔米纳蒂 ,  S·克斯坦蒂尼 ,  R·吉亚诺拉 ,  L·蒙塔格纳 ,  F·M·C·卡尔皮格纳诺

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: MEMS设备通过以下方式获得：在半导体本体上形成临时偏置结构；以及在半导体本体上形成致动线圈，致动线圈至少具有一个第一端匝、一个第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间，并且通过临时偏置结构被电耦合至第一端匝。以此方式，在电镀生长期间中间端匝以与第一端匝近似相同的电势被偏置，并且在生长结束时，致动线圈具有近似均匀的厚度。在电镀生长结束时，临时偏置结构的部分被选择性地去除，以将第一端匝与中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，虚设偏置区域与第一端匝相邻。

公开(公告)号：CN211770290U

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201922231187.7

申请日：2019-12-13

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·卡尔米纳蒂 ,  S·克斯坦蒂尼 ,  R·吉亚诺拉 ,  L·蒙塔格纳 ,  F·M·C·卡尔皮格纳诺

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 根据本公开的实施例涉及一种MEMS设备，包括：固定结构；悬置结构，由固定结构承载；支撑结构，将悬置结构耦合到固定结构，并且被配置为允许悬置结构相对于固定结构具有至少一个自由度；致动线圈，在悬置结构上延伸，致动线圈包括第一端匝、第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间；以及虚设偏置结构，包括虚设偏置区域，虚设偏置区域与第一端匝相邻并且被电耦合到中间匝。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212084950U

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202020139175.1

申请日：2020-01-21

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·塞吉齐 ,  L·蒙塔格纳 ,  G·维萨利 ,  M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开的实施例涉及集成部件。一种半导体材料的第一晶片具有表面。一种半导体材料的第二晶片包括衬底和在该衬底上的结构层。结构层集成了用于监测电磁辐射的检测器设备。第二晶片的结构层被耦合到第一晶片的表面。第二晶片的衬底被成形以形成微镜的定子、转子和移动质量块。定子和转子形成用于电容性地驱动移动质量块的组件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利