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公开(公告)号：CN106809796A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610472949.0
申请日：2016-06-24
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： R·卡尔米纳蒂
CPC分类号： G02B26/0833 , B81B3/0083 , B81B2201/042 , G02B26/101 , G02B26/105 , G03B21/008 , B81B3/0062 , B81B3/0021 , B81B7/02 , G03B21/28
摘要： 一种微机械结构(20)，具有：框架(2)，其在内部限定了窗(5)并且通过第一弹性元件(6)被弹性地连接到相对于基底(8)被固定的锚固结构(7)；致动结构(10)，可操作地耦合到框架(2)以用于生成第一致动移动；移动质量(4)，被布置在窗(5)内并且通过扭转型的第二弹性元件(9)弹性地耦合到框架(2)，使得移动质量(4)在第一致动移动中被刚性地耦合到框架(2)，并且针对相同的移动质量(4)进一步限定扭转型的第二致动轴线(y)。质量分布与移动质量(4)关联，从而通过惯性效应生成作为第一致动移动的函数的移动质量(4)围绕第二致动轴线(y)的旋转的第二致动移动。
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公开(公告)号：CN106477514A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510540807.9
申请日：2015-08-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 郑超
CPC分类号： B01L3/5027 , B81B3/0083 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , H01L31/0203 , H01L31/0352 , H01L31/08
摘要： 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件的形成方法包括：提供第一基底；沿第一基底正面向背面刻蚀开口区的第一基底，在外围区第一基底中形成第一开口，在中心区第一基底中形成第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度；在第一开口底部和侧壁表面、第三开口底部和侧壁表面形成感光层；将第一基底正面与第二基底进行键合；在第一基底背面形成暴露出开口区第一基底背面的图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面以及第三开口底部表面的感光层。本发明提高了形成的MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN100474029C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710003929.X
申请日：2004-09-30
申请人： 日本航空电子工业株式会社
CPC分类号： G02B6/3584 , B81B3/0083 , B81B2201/045 , B81C1/00182 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/3514 , G02B6/3518 , G02B6/3546 , G02B6/357 , G02B6/3596 , G02B26/0841
摘要： 本发明涉及微光学装置制造方法。该装置包括复杂结构和可移动反射镜，可在更短的时间内制造出该微光学装置。硅基底和单晶硅装置层以及置于其间的氧化硅中间层构成基底，其上掩模材料层得以形成且被构图，从而形成与如平面图所示的预期光学装置的结构具有相同图案的掩模。将构造为反射镜表面的表面选择为硅晶体的面。利用掩模，通过反应离子干刻蚀，垂直刻蚀装置层，直到露出中间层为止。随后利用KOH溶液在约十分钟的时间段内以大约0.1μm/min的刻蚀速率，执行对于晶向是各向异性的湿刻蚀，从而将反射镜4的侧壁表面转变为光滑的晶体学表面。随后，选择性地湿刻蚀中间层，从而仅在位于光学装置的可移动部件下面的区域中除去中间层。
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公开(公告)号：CN106477514B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510540807.9
申请日：2015-08-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 郑超
CPC分类号： B01L3/5027 , B81B3/0083 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , H01L31/0203 , H01L31/0352 , H01L31/08
摘要： 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件的形成方法包括：提供第一基底；沿第一基底正面向背面刻蚀开口区的第一基底，在外围区第一基底中形成第一开口，在中心区第一基底中形成第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度；在第一开口底部和侧壁表面、第三开口底部和侧壁表面形成感光层；将第一基底正面与第二基底进行键合；在第一基底背面形成暴露出开口区第一基底背面的图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面以及第三开口底部表面的感光层。本发明提高了形成的MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN105122115A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480013554.3
申请日：2014-03-05
申请人： 皮克斯特隆尼斯有限公司
CPC分类号： G02B26/023 , B81B3/0083 , B81B3/0086 , G02B5/005 , G02B26/02 , G02B26/04 , G03B9/02
摘要： 本发明提供用于提供紧凑快门组合件的系统、方法及设备。快门组合件可通过并入在致动期间在致动器的控制快门的部分上方或下方经过的所述快门而以更紧凑方式形成，从而容许更高的每英寸像素显示。
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公开(公告)号：CN101688975A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022893.2
申请日：2008-06-24
申请人： 高通MEMS科技公司
CPC分类号： G02B26/001 , B81B3/0083 , B81B2201/047
摘要： 本发明提供一种微机电(MEMS)装置(800)，其包括具有顶表面(88)的衬底(20)、在所述衬底(20)上的可移动元件(810)及激活电极(82)。所述可移动元件(810)包括可变形层(34)及以机械方式耦合到所述可变形层(34)的反射元件(814)。所述反射元件(814)包含反射表面(92)。所述激活电极(82)与所述反射表面(92)横向地安置。所述可移动元件(810)通过在大体垂直于所述衬底(20)的所述顶表面(88)的方向上移动来对施加于所述激活电极(82)与所述可移动元件(810)之间的电压差作出响应。
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公开(公告)号：CN106842553B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201610487301.0
申请日：2016-06-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： G02B26/105 , B81B3/0048 , B81B3/0083 , B81B2201/042 , G02B26/0858 , H04N9/3173
摘要： 微机械设备包括能够围绕第一旋转轴线旋转的可倾斜结构。可倾斜结构通过压电型的致动结构被耦合到固定结构。致动结构由具有螺旋形状的弹簧元件形成。每个弹簧元件包括横向于第一旋转轴线延伸的致动臂。每个致动臂承载压电材料的相应压电带。致动臂被分开为两组，使得其压电带处于相反相位而被偏压以获得在围绕第一旋转轴线的可倾斜结构的相反方向中的旋转。
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公开(公告)号：CN108249382A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710401489.7
申请日：2017-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： G02B26/0858 , B81B3/0083 , B81B2201/032 , B81B2203/0118 , G02B26/105 , H04N9/3129
摘要： 本发明涉及具有压电致动的MEMS设备、投射MEMS系统以及相关驱动方法。一种MEMS设备，包括：固定的结构和悬置的结构，悬置的结构包括内部结构以及第一臂和第二臂，第一臂和第二臂中的每一个具有对应第一端和对应第二端，第一端被固定至固定的结构并且相隔一定距离成角度地安排，第二端被固定至内部结构，相隔一定距离成角度地安排并且相对于这些相应第一端在同一旋转方向上成角度地安排。MEMS设备进一步包括多个压电致动器，多个压电致动器中的每一个可被驱动，以便引起相应臂的变形，因此引起内部结构的旋转。在静止状况下，第一臂和第二臂中的每一个包括具有对应凹陷的对应细长部分。内部框架在第一臂和第二臂的这些细长部分的这些凹陷内部分地延伸。
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公开(公告)号：CN105122115B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201480013554.3
申请日：2014-03-05
申请人： 追踪有限公司
CPC分类号： G02B26/023 , B81B3/0083 , B81B3/0086 , G02B5/005 , G02B26/02 , G02B26/04 , G03B9/02
摘要： 本发明提供用于提供紧凑快门组合件的系统、方法及设备。快门组合件可通过并入在致动期间在致动器的控制快门的部分上方或下方经过的所述快门而以更紧凑方式形成，从而容许更高的每英寸像素显示。
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公开(公告)号：CN102393562A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110412304.5
申请日：2008-06-24
申请人： 高通MEMS科技公司
CPC分类号： G02B26/001 , B81B3/0083 , B81B2201/047
摘要： 本发明涉及具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置。本发明提供一种微机电(MEMS)装置(800)，其包括具有顶表面(88)的衬底(20)、在所述衬底(20)上的可移动元件(810)及激活电极(82)。所述可移动元件(810)包括可变形层(34)及以机械方式耦合到所述可变形层(34)的反射元件(814)。所述反射元件(814)包含反射表面(92)。所述激活电极(82)与所述反射表面(92)横向地安置。所述可移动元件(810)通过在大体垂直于所述衬底(20)的所述顶表面(88)的方向上移动来对施加于所述激活电极(82)与所述可移动元件(810)之间的电压差作出响应。
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