半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100350607C

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN01823865.3

    申请日:2001-12-07

    IPC分类号: H01L25/04 H01L23/12

    摘要: 半导体器件,包含:在一面上具有第1端子(7)的第1半导体芯片(5);比第1半导体芯片(5)大,重叠第1半导体芯片(5)并且在一面上具有第2端子(3)的第2半导体芯片(1a);被形成在第2半导体芯片(1a)上覆盖第1半导体芯片(5)的绝缘膜(10);在绝缘膜(10)中至少被形成在第1半导体芯片(5)的周边区域上的多个孔(10a);在孔(10a)的内周面以及底面上形成膜状并且与上述第2半导体芯片(1a)的第2端子(3)电连接的孔(11a);被形成在绝缘膜(10)的上表面上的布线图案(11b);被连接在布线图案(11b)上的外部端子(14)。

    内置有电容器的半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1926684A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200480042472.8

    申请日:2004-06-07

    摘要: 在内置有为了防止电源电位或接地电位的变动而使用的去耦电容器的半导体装置及其制造方法中,利用简单且低成本的方法来实现小型化、高性能化。根据本发明的半导体装置包括:设置有电源用电极和接地用电极的基板;在与第二半导体芯片相对向的面侧上形成第一导体层并配置在基板上的第一半导体芯片;在与第一半导体芯片相对向的面侧上形成第二导体层并配置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片;夹在第一导体层和第二导体层之间来粘合第一半导体芯片和第二半导体芯片的粘合剂层。该半导体装置中,粘合剂层和第一及第二导体层作为电容器来发挥功能。