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公开(公告)号：CN119221110B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411742042.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉维护系统及方法，该系统包括：反应室；维护室；图像采集组件；传送室；控制器，用于在完成外延生长工艺后，控制第一开关阀打开，然后利用机械臂将上半月反应腔体移动至图像采集组件上方，还用于利用图像采集组件采集反应腔体底面图像信息，然后根据反应腔体底面图像信息获取沉积颗粒参数信息，并根据沉积颗粒参数信息和预设颗粒参数分析是否需要对上半月反应腔体进行维护，若是，则控制第一开关阀关闭，生成提醒维护信息；该系统能够有效地解决由于反应室内的石墨件和气路元件与空气接触而导致反应室内的石墨件和气路元件氧化的问题以及有效地提高维护效率。
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公开(公告)号：CN117174642A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311263317.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延生长设备的晶圆上料方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：在机械手将晶圆移动至反应腔内时，基于位于反应腔外的UWB雷达扫描反应腔，以获取第一雷达扫描信息；根据第一雷达扫描信息分析晶圆的实际位置是否与预设的目标位置重合；若实际位置与目标位置不重合，则根据实际位置和目标位置控制机械手对晶圆的位置进行调整，并在实际位置与目标位置重合时控制机械手放下晶圆；该方法能够有效地避免出现由于只有在机械手无法对晶圆进行正常下料时才能发现晶圆位置偏移或托盘位置偏移而导致产生薄膜不均匀的残次品，造成资源和时间的浪费以及机械手在晶圆下料时抓取错误位置，晶圆损坏的问题。
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公开(公告)号：CN116043184A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310111885.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
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公开(公告)号：CN114032612B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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公开(公告)号：CN114808068A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阳极，Nb金属板作为阴极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068308B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN113688802A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111235190.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及生物信号处理技术领域，具体公开了一种基于肌电信号的手势识别方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：实时获取肌电信号；获取不同分类器对所述肌电信号的分类结果；根据所述分类结果的一致性获取有效结果；将所述有效结果逐个投入第一投票队列中，获取初始手势识别结果；将所述初始手势识别结果逐个投入第二投票队列中，获取最终手势识别结果；该方法利用不同分类器获取具有一致性的有效结果，去除了肌电信号中难以进行准确分类的数据，然后通过第一投票队列和第二投票队列进行两级投票获取最终手势识别结果，有效去除了因噪声数据和分类器缺陷引起的误判结果，具有数据计算量少、识别准确度高、识别效率高的特点。
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公开(公告)号：CN114823307B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
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公开(公告)号：CN119691371A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510195814.3
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F18/15 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/21 , G06F18/2433 , G01D21/02 , G06F123/02
Abstract: 本申请属于设备数据处理的技术领域，公开了一种碳化硅外延设备检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取碳化硅外延设备中多个传感器的历史时间序列数据，对历史时间序列数据进行归一化处理和数据转换，得到预处理后的历史时间序列数据，基于预处理后的历史时间序列数据，通过自适应学习率调整的随机梯度下降算法、早停法和模型检查点机制，构建得到异常检测模型，将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，确定对应的实时数据是否存在异常，以对碳化硅外延设备进行检测；通过将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，对碳化硅外延设备进行检测，提高了碳化硅外延设备的检测效率。
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公开(公告)号：CN115012031B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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