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公开(公告)号：CN115537780A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211286779.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
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公开(公告)号：CN114938549A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210749237.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B6/40
Abstract: 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
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公开(公告)号：CN113774478A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111088462.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备，其中，所述方法包括以下步骤：实时获取所述外延设备的反应室的尾气浓度信息；根据所述尾气浓度信息调节所述反应室内的温度和/或所述反应室内反应气体的流量；该方法实时获取的尾气浓度信息能反映出反应室内晶体生长情况，该方法根据实时获取的尾气浓度信息调节温度和/或反应气体的流量能改变反应工况，能及时地进行反应室内反应工况的动态反馈调节，以使反应室内的晶体生长情况满足预期需求。
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公开(公告)号：CN115125619B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210815561.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
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公开(公告)号：CN115481538A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211173620.6
申请日：2022-09-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/02 , G06F119/12
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种外延设备反应腔排气结构的寿命预测方法、设备及介质；该方法用于预测外延设备排气结构中的蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命以获取排气结构可使用时间，方法包括以下步骤：获取反应腔内排出的气体流量信息、气体组分信息；根据气体流量信息、气体组分信息、排气结构管路半径获取反应气体的气体常数信息；根据气体常数信息、反应类型信息、反应温度信息获取老化反应速率常数信息；根据老化反应速率常数信息及橡胶圈老化常数获取橡胶圈疲劳变化参数关于时间的疲劳模型；基于疲劳模型根据橡胶圈使用时长、预设的疲劳极限信息计算橡胶圈的剩余使用寿命，该方法能有效预测蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119691371A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510195814.3
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F18/15 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/21 , G06F18/2433 , G01D21/02 , G06F123/02
Abstract: 本申请属于设备数据处理的技术领域，公开了一种碳化硅外延设备检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取碳化硅外延设备中多个传感器的历史时间序列数据，对历史时间序列数据进行归一化处理和数据转换，得到预处理后的历史时间序列数据，基于预处理后的历史时间序列数据，通过自适应学习率调整的随机梯度下降算法、早停法和模型检查点机制，构建得到异常检测模型，将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，确定对应的实时数据是否存在异常，以对碳化硅外延设备进行检测；通过将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，对碳化硅外延设备进行检测，提高了碳化硅外延设备的检测效率。
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公开(公告)号：CN117174626B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311457585.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。
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公开(公告)号：CN115012031B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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公开(公告)号：CN114318518B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN115125619A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210815561.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
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