-
公开(公告)号：CN114622277A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210173699.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应腔的气浮系统及方法，其包括：托盘，用于放置晶圆；供气装置，用于供应气浮气体；悬浮气路，与所述供气装置连接，用于朝所述托盘底面释放所述气浮气体以驱动所述托盘浮起；旋转气路，与所述供气装置连接，用于朝所述托盘侧面释放所述气浮气体以驱动所述托盘旋转；控制器，用于在外延生长开始前，控制所述悬浮气路驱动所述托盘悬浮，并在经过第一预设时间后，控制所述旋转气路驱动所述托盘旋转；只有在托盘悬浮后，控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘旋转，从而实现先使托盘悬浮再使托盘旋转，避免出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
-
公开(公告)号：CN114115369A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
-
公开(公告)号：CN116190217A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310419902.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。
-
公开(公告)号：CN114032612B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
-
公开(公告)号：CN114551572A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210163347.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法，拓扑PN结包括衬底、电极、P型区和N型区；所述P型区与一所述电极相接，所述N型区与另一所述电极相接，所述N型区与所述P型区之间形成空间电荷区；所述P型区为P型掺杂的拓扑半导体，所述N型区为N型掺杂的拓扑半导体。本申请提供了一种新型的基于拓扑半导体的拓扑PN结，可以充分利用半导体具有能隙且易于调控的优势，可以有效实现拓扑量子输运特性的单向开启。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507900A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
-
公开(公告)号：CN114068308B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
-
公开(公告)号：CN116539638A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310810542.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
-
公开(公告)号：CN116288695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310111879.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温场调节装置及系统，该装置包括：混合气体提供组件，用于提供混合气体；气体分流组件，其进气端与混合气体提供组件连接，其出气端通过一条主路气体气路和两条旁路气体气路与反应室的进气端连接，主路气体气路位于两条旁路气体气路之间，气体分流组件用于根据预设流量比将混合气体分流送入主路气体气路和两路旁路气体气路；气体温度调节组件，设置在主路气体气路和/或旁路气体气路上，用于调节主路气体气路和/或旁路气体气路内气体的温度；该装置能够在提高反应室内的温场均匀性的前提下有效地降低设计难度以及生产成本和提高反应室内的温场的可调性。
-
公开(公告)号：CN115012031A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.023 seconds)
