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公开(公告)号：CN114934263A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114512574A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
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公开(公告)号：CN119433517A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411599416.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是一种用于PECVD固定式自连接及分布式匀气系统结构和方法，其包括下腔体、上腔盖和匀气组件，所述下腔体顶部设有开口，所述下腔体内部设有第一气体通道，所述上腔盖盖设在所述开口处，使得所述上腔盖可开启或关闭所述开口，所述上腔盖内部设有第二气体通道，所述第一气体通道和所述第二气体通道形成特气通路，所述匀气组件设置在所述上腔盖的下方，所述匀气组件的进气端与所述第二气体通道的出气端连接。避免了在移除上腔盖的过程中，频繁拆装特气系统的需求，匀气结构从中间馈入局部分散的方式，转变为整体空间的均匀分布，提高了气体分布的一次均匀性，对整体反应气体空间的气体分布性产生了积极的影响。
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公开(公告)号：CN114823307B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
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公开(公告)号：CN117174626B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311457585.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114934263B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114965901A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
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公开(公告)号：CN114823307A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
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公开(公告)号：CN114512574B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
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公开(公告)号：CN114965901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
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