-
公开(公告)号：CN114464708A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210380144.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本申请涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：以N型单晶硅片为衬底，在N型单晶硅片的正面和反面分别形成二氧化硅隧道钝化层；在N型单晶硅片的正面形成宽带隙的N型多晶碳化硅层；在N型单晶硅片的反面形成P型多晶硅层；在N型单晶硅片的正面和反面分别形成掺硼氧化锌层；在N型单晶硅片的正面和反面的掺硼氧化锌层上形成金属电极。本申请所提供的异质结太阳电池的制备方法，无需制绒工序，从而避免了金属离子对电池片的污染以及KOH废液的处理工序，提升异质结太阳电池的性能同时又降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN114965901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
-
公开(公告)号：CN114934263A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
-
公开(公告)号：CN114512574A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823307B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
-
公开(公告)号：CN114934263B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
-
公开(公告)号：CN114965901A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
-
公开(公告)号：CN114823307A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
-
公开(公告)号：CN114512574B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.024 seconds)
