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公开(公告)号：CN113913789B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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公开(公告)号：CN114808068A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阳极，Nb金属板作为阴极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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公开(公告)号：CN114753000A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
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公开(公告)号：CN114093990B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210055643.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
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公开(公告)号：CN119191164A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411724950.9
申请日：2024-11-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体装备技术领域，特别是一种粒子直线加速器辅助拆装装置，其包括机架、升降架、驱动装置和旋转支架，升降架设置在机架上，驱动装置设置在升降架的活动端上，旋转支架包括支撑座、辊轴和辊轮，辊轴呈V形布置在支撑座上，辊轮可滑动地套接在辊轴上，辊轮用于放置粒子直线加速管，驱动装置带动旋转支架摆动，升降架带动支撑座上下移动。本辅助拆装装置融合了升降和倾斜功能，能够应对两端安装孔位不在同一水平线的情况。通过辊轴和辊轮的配合，粒子加速管不仅可以在支撑座上沿轴向方向移动，还可以围绕辊轴进行旋转，从而适应各种安装需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114934263B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114753000B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
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公开(公告)号：CN114093990A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210055643.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
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公开(公告)号：CN114023646A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210005520.6
申请日：2022-01-05
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：氮化处理；预铺Al；生长AlN缓冲层：依次生长第一AlN缓冲层、第二AlN缓冲层和第三AlN缓冲层；生长AlGaN缓冲层：依次生长第一AlyGa1‑yN缓冲层和第二AlyGa1‑yN缓冲层；生长自掺碳高阻值GaN外延层；生长GaN沟道层；生长AlyGa1‑yN势垒层；生长GaN帽层。本申请通过优化工艺，可以大幅降低AlN缓冲层以及自掺碳高阻值GaN外延层的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN114808068B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阴极，Nb金属板作为阳极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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