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公开(公告)号：CN118758194A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN118447964A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410609992.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种工艺参数寻优方法、外延生长方法及相关设备，涉及外延生长领域，其中工艺参数寻优方法包括：在预设范围内随机生成多个工艺参数组；基于预先建立好的仿真模型根据多个工艺参数组进行模拟实验，输出各工艺参数组对应的模拟生长结果参数；基于蚁群算法根据神经网络模型、工艺参数组以及神经网络模型生成的生长结果参数进行寻优以获取最优工艺参数组。本申请的工艺参数寻优方法能解决在获取使外延薄膜均匀性及生长速率达到最优的工艺参数时进行大量外延生长实验，导致实验成本和人工成本高并且材料生长时间长的问题，从而能达到节省实验成本，缩短生长结果参数获取时间以及准确获取最优工艺参数组的效果。
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公开(公告)号：CN114808068B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阴极，Nb金属板作为阳极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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公开(公告)号：CN115627531A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211399678.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备，其中，系统包括：传输底座，具有朝上设置的气浮通道，气浮通道具有阵列设置多个气浮管组；托盘，用于承托衬底，放置在传输底座上；传输底座包括固定在外延设备的反应腔中的第一气浮底座及固定在反应腔外的第二气浮底座；位置检测组件，用于获取托盘的位置信息；多个进出气组件，分别与每个气浮管组连接，用于朝向气浮管组送气或吸气；控制器，与位置检测组件及进出气组件电性连接；控制器用于根据位置信息控制不同进出气组件进气或吸气以驱动托盘在气浮通道上位移；该系统解决了反应腔高温环境影响传输机械臂及其上夹具的使用寿命的问题。
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公开(公告)号：CN114959889A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210748988.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种反应腔的温度补偿装置、系统及方法，所述外延设备包括所述反应腔和感应线圈，所述感应线圈螺旋设置在所述反应腔外，所述反应腔的外形为圆柱形，所述反应腔的温度补偿装置包括：温度补偿线圈，设置在所述反应腔外；水平驱动组件，与所述温度补偿线圈连接，用于驱动所述温度补偿线圈沿平行于所述反应腔的轴心线的方向位移；旋转组件，与所述水平驱动组件连接，用于驱动所述水平驱动组件旋转；该装置能够对温场分布不均匀对应的局部位置进行补偿加热，以使反应腔内的温场分布均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068308A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN119691371A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510195814.3
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F18/15 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/21 , G06F18/2433 , G01D21/02 , G06F123/02
Abstract: 本申请属于设备数据处理的技术领域，公开了一种碳化硅外延设备检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取碳化硅外延设备中多个传感器的历史时间序列数据，对历史时间序列数据进行归一化处理和数据转换，得到预处理后的历史时间序列数据，基于预处理后的历史时间序列数据，通过自适应学习率调整的随机梯度下降算法、早停法和模型检查点机制，构建得到异常检测模型，将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，确定对应的实时数据是否存在异常，以对碳化硅外延设备进行检测；通过将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，对碳化硅外延设备进行检测，提高了碳化硅外延设备的检测效率。
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公开(公告)号：CN114115369B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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公开(公告)号：CN114182341A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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公开(公告)号：CN118758194B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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