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公开(公告)号：CN119194603B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411715094.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种双蝶阀控压系统、方法及外延炉，该系统包括：排气管道，其上依次设有门阀、第一压力采集组件、第一蝶阀和工艺泵；调压管，其上设有第二蝶阀；第二压力采集组件；控制器，用于根据第一预设开度范围、第一压力信息和第一预设压力调节第一蝶阀的开度，并在第一蝶阀的开度变化量位于第一预设开度范围内且第一压力信息与第一预设压力的差值位于第一预设压力范围内时，根据第二预设开度范围、第二压力信息和第一预设压力调节第二蝶阀的开度；该系统能够有效地减少第一蝶阀的开度的调整次数，从而有效地延长第一蝶阀的使用寿命，进而有效地降低外延炉的维护周期。
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公开(公告)号：CN115537780A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211286779.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119194603A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411715094.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种双蝶阀控压系统、方法及外延炉，该系统包括：排气管道，其上依次设有门阀、第一压力采集组件、第一蝶阀和工艺泵；调压管，其上设有第二蝶阀；第二压力采集组件；控制器，用于根据第一预设开度范围、第一压力信息和第一预设压力调节第一蝶阀的开度，并在第一蝶阀的开度变化量位于第一预设开度范围内且第一压力信息与第一预设压力的差值位于第一预设压力范围内时，根据第二预设开度范围、第二压力信息和第一预设压力调节第二蝶阀的开度；该系统能够有效地减少第一蝶阀的开度的调整次数，从而有效地延长第一蝶阀的使用寿命，进而有效地降低外延炉的维护周期。
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公开(公告)号：CN115627531A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211399678.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备，其中，系统包括：传输底座，具有朝上设置的气浮通道，气浮通道具有阵列设置多个气浮管组；托盘，用于承托衬底，放置在传输底座上；传输底座包括固定在外延设备的反应腔中的第一气浮底座及固定在反应腔外的第二气浮底座；位置检测组件，用于获取托盘的位置信息；多个进出气组件，分别与每个气浮管组连接，用于朝向气浮管组送气或吸气；控制器，与位置检测组件及进出气组件电性连接；控制器用于根据位置信息控制不同进出气组件进气或吸气以驱动托盘在气浮通道上位移；该系统解决了反应腔高温环境影响传输机械臂及其上夹具的使用寿命的问题。
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公开(公告)号：CN115537780B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211286779.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
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公开(公告)号：CN117174642A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311263317.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延生长设备的晶圆上料方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：在机械手将晶圆移动至反应腔内时，基于位于反应腔外的UWB雷达扫描反应腔，以获取第一雷达扫描信息；根据第一雷达扫描信息分析晶圆的实际位置是否与预设的目标位置重合；若实际位置与目标位置不重合，则根据实际位置和目标位置控制机械手对晶圆的位置进行调整，并在实际位置与目标位置重合时控制机械手放下晶圆；该方法能够有效地避免出现由于只有在机械手无法对晶圆进行正常下料时才能发现晶圆位置偏移或托盘位置偏移而导致产生薄膜不均匀的残次品，造成资源和时间的浪费以及机械手在晶圆下料时抓取错误位置，晶圆损坏的问题。
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公开(公告)号：CN116043184A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310111885.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
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