公开(公告)号：CN119691371A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202510195814.3

申请日：2025-02-21

Applicant: 季华实验室

Inventor： 陈宝金 ,  戴科峰 ,  唐卓睿 ,  毛朝斌 ,  彭定强 ,  高桑田

IPC: G06F18/15 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06F18/21 ,  G06F18/2433 ,  G01D21/02 ,  G06F123/02

Abstract: 本申请属于设备数据处理的技术领域，公开了一种碳化硅外延设备检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取碳化硅外延设备中多个传感器的历史时间序列数据，对历史时间序列数据进行归一化处理和数据转换，得到预处理后的历史时间序列数据，基于预处理后的历史时间序列数据，通过自适应学习率调整的随机梯度下降算法、早停法和模型检查点机制，构建得到异常检测模型，将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，确定对应的实时数据是否存在异常，以对碳化硅外延设备进行检测；通过将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，对碳化硅外延设备进行检测，提高了碳化硅外延设备的检测效率。

公开(公告)号：CN119245357A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411780098.7

申请日：2024-12-05

Applicant: 季华实验室

Inventor： 彭定强 ,  刘欣 ,  孔倩茵 ,  张南 ,  谢利华

IPC: F27B17/00 ,  F27D3/00

Abstract: 本申请涉及热处理技术领域，具体提供了一种用于热处理设备的传片系统及方法，该系统包括：缓存室；过渡室；控制器，用于控制机械臂将待热处理外延片移动至缓存舟架上或将完成冷却的已热处理外延片移动至片盒上，还用于控制机械臂将待热处理外延片移动至热处理设备内或将已热处理外延片移动至缓存舟架上，还用于在片盒上的所有待热处理外延片均被取出或片盒上放满完成冷却的已热处理外延片时，控制第一开关闸门关闭，然后控制第二开关闸门打开，还用于在完成片盒的更换后，控制第二开关闸门关闭，然后控制第一开关闸门打开；该系统能够在避免热处理设备暴露在非洁净环境中的情况下同时对过渡室进行片盒的取放和对热处理设备进行外延片的上下料。

公开(公告)号：CN116876080A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310932768.1

申请日：2023-07-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  仇礼钦 ,  彭定强 ,  戴科峰 ,  刘自然 ,  罗骞 ,  伍三忠

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/08 ,  C30B29/36 ,  C30B25/16 ,  C23C16/455

Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体而言，涉及一种外延反应室的导流装置及外延设备，其中外延反应室的导流装置包括导流组件；导流组件设置在外延反应室内部，位于衬底托盘正上方且与供气口连接；导流组件包括与供气口连接且朝向衬底托盘设置的导流管和位于导流管中部的导流件；导流件包括低于导流管末端的扩散板。本申请的外延反应室的导流装置能解决在衬底上进行外延生长时竖直方向通气产生的气体逆向流动情况导致的外延生长不均匀的问题，达到在各个衬底上进行均匀生长的效果。

公开(公告)号：CN119121386A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411589110.6

申请日：2024-11-08

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  彭定强 ,  黄吉裕 ,  郭嘉杰 ,  伍三忠

IPC: C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种SiC外延片生长装置及方法，在上半月结构下表面位置增加一个可放置挡板的支撑结构，将碳化硅衬底放置在载片盘上，在外延生长前，将挡板放置在支撑结构上，并且挡板位于载片盘上方；在碳化硅衬底外延生长过程中，支撑结构通入外部电流能够对挡板加热升温，抑制3C‑SiC的沉积和颗粒生成，在若干次外延生长后，将挡板移出反应室，对挡板进行清洁处理，便于再次使用。