-
公开(公告)号：CN114540800B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
-
公开(公告)号：CN113897674B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
-
公开(公告)号：CN114540800A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
-
公开(公告)号：CN114540799A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210145533.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及晶片冷却技术领域，具体提供了一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质，其包括：预抽真空腔；供气装置，安装在所述预抽真空腔上，所述供气装置用于释放吹扫气体；冷却装置，设置在所述预抽真空腔内，用于冷却所述吹扫气体；第一测温装置，用于测量所述晶片的温度；控制器，用于控制所述供气装置释放所述吹扫气体以冷却所述晶片，还用于在所述晶片的温度小于或等于预设的第一阈值时，控制所述冷却装置冷却所述吹扫气体；在不发生晶片翘曲的前提下，通过控制吹扫气体的温度以实现使晶片和与晶片接触的吹扫气体保持一定的温度差，从而提高了预抽真空腔的冷却速率和外延炉的生产效率。
-
公开(公告)号：CN114082729B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119265698A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411789793.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种转速可调的载盘旋转系统、方法及外延炉，该系统包括：上半月石墨腔体；下半月石墨腔体，其内设有空腔和旋转气道；载盘；传动桨轴，其轴心与旋转气道的进气道错开；多个传动桨叶；多个测速叶；旋转气体供应组件；转速测量组件；控制器，用于在外延生长时，控制旋转气体供应组件向旋转气道内供应旋转气体，并根据载盘转速信息和预设转速调节旋转气体供应组件向旋转气道内供应的旋转气体的流量，直至载盘转速信息与预设转速相同；该系统能够解决由于气浮气体对下半月石墨腔体刻蚀时产生的石墨粉尘进入反应腔内而导致反应腔的洁净度下降以及外延片上生长的外延层的缺陷增多的问题和精确控制载盘的转速。
-
公开(公告)号：CN114753000B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
-
公开(公告)号：CN113897674A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
-
公开(公告)号：CN113718333A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111020536.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件，其中，匀气盒，用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：盒体，盒体长度为10‑30cm，盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔，若干气孔包括若干小孔和若干大孔，若干大孔对称分设于小孔两侧；该匀气盒长度为10‑30cm，能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流，确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱，使得晶体生长更均匀，同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式，使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速，从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。
-
公开(公告)号：CN113913789B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.025 seconds)
