-
公开(公告)号：CN119265698A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411789793.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种转速可调的载盘旋转系统、方法及外延炉，该系统包括：上半月石墨腔体；下半月石墨腔体，其内设有空腔和旋转气道；载盘；传动桨轴，其轴心与旋转气道的进气道错开；多个传动桨叶；多个测速叶；旋转气体供应组件；转速测量组件；控制器，用于在外延生长时，控制旋转气体供应组件向旋转气道内供应旋转气体，并根据载盘转速信息和预设转速调节旋转气体供应组件向旋转气道内供应的旋转气体的流量，直至载盘转速信息与预设转速相同；该系统能够解决由于气浮气体对下半月石墨腔体刻蚀时产生的石墨粉尘进入反应腔内而导致反应腔的洁净度下降以及外延片上生长的外延层的缺陷增多的问题和精确控制载盘的转速。
-
公开(公告)号：CN114753000B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
-
公开(公告)号：CN114775045A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210438710.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。
-
公开(公告)号：CN119121387A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411589106.X
申请日：2024-11-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种进气结构、P型碳化硅外延生长装置及方法，进气盒采用三种通道进气，不仅能灵活控制C2H4、TCS、TMA进入反应室的方式，还能更加精准的调控大尺寸SiC外延的厚度和掺杂浓度的均匀性；通过调整进气通道以及流量的组合，能够在P型高速外延生长时大幅减少SiC外延片边缘与中心的P型掺杂浓度差，实现较低的掺杂浓度不均匀性；从SiC外延的设备硬件和工艺方法两方面同时入手，提出了简单有效的硬件设计方案和外延工艺方法，用来解决高速外延生长时P型外延片掺杂浓度均匀性差的问题。这比单一的改造外延设备或单纯的调整外延工艺参数更加省时省力，且效果更好。
-
公开(公告)号：CN116288694A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310346330.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延炉供气结构及供气系统，其中，外延炉供气结构包括第一供气管道，与传送室连接，用于为传送室供应惰性气体；第二供气管道，与反应室进气端连接，用于为反应室供应初始载气；第一回气管道，其两端分别与传送室和第二供气管道连接；该外延炉供气结构设置第一回气管道连接传送室和第二供气管道，使得第二供气管道最终能为反应室输送由其原始提供的初始载气和第一回气管道提供的惰性气体构成的气浮混合载气，即利用了需要直接排放至废气处理设备中的传送室内的惰性气体来填补部分载气，有效降低整个设备的气体成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507900B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
-
公开(公告)号：CN113897674B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
-
公开(公告)号：CN114334738A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111658267.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备，用于在外延生长前对衬底进行预热处理，所述用于外延工艺的衬底预热装置包括：基座；衬底取放台，用于装载并固定衬底；衬底加热器，用于对衬底进行预热处理，所述衬底加热器设置在所述衬底上方，所述衬底加热器固定连接在所述基座上；升降驱动组件，用于驱动所述衬底取放台做升降运动，使衬底靠近或远离所述衬底加热器。所述用于外延工艺的衬底预热装置通过将衬底加热器设置在衬底上方，使得衬底加热器发出的热量直接作用于衬底上表面，从而使衬底上表面的温度达到外延工艺的温度要求。
-
公开(公告)号：CN114775045B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210438710.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。
-
公开(公告)号：CN115326222A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211005536.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质；该方法包括：将热电偶温度计充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内，在预设的第一加热温度范围内获取钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，即是获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；在外延反应过程中，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，换算得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系；在实际反应中，只需根据测温探头测得的温度，即可获得外延片的实际温度；该方法简单，实用，可直接获取到外延片的实际温度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.026 seconds)
