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公开(公告)号：CN116858854A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311131858.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , G01N21/63 , G01N21/84 , G01N27/22 , G01B21/00 , G01R31/26 , G06F17/10 , G06T7/00 , G06T7/70 , G06F17/18 , H01L21/66
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度的修正方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量、位置坐标和掺杂浓度数据，步骤S102，基于数量和位置坐标，结合预设的判断规则，判断掺杂浓度数据是否存在缺陷信息，若是，则执行步骤S103，若否，则执行步骤S104，步骤S103，对存在缺陷信息的掺杂浓度数据进行修正，得到修正后的掺杂浓度数据，步骤S104，确定不存在缺陷信息的掺杂浓度数据为修正后的掺杂浓度数据，通过对掺杂浓度存在缺陷信息的测量点进行掺杂浓度修正，得到修正后的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114934263B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114965901A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
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公开(公告)号：CN114512574B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
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公开(公告)号：CN114093990A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210055643.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114023646A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210005520.6
申请日：2022-01-05
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：氮化处理；预铺Al；生长AlN缓冲层：依次生长第一AlN缓冲层、第二AlN缓冲层和第三AlN缓冲层；生长AlGaN缓冲层：依次生长第一AlyGa1‑yN缓冲层和第二AlyGa1‑yN缓冲层；生长自掺碳高阻值GaN外延层；生长GaN沟道层；生长AlyGa1‑yN势垒层；生长GaN帽层。本申请通过优化工艺，可以大幅降低AlN缓冲层以及自掺碳高阻值GaN外延层的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN116623296A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310419900.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法，属于半导体加工领域，将生长外延层的步骤分成了若干个周期，每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程，气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量，且碳源流量为零。气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中，能够周期性地修正反应室中的气氛，全程不会完全中断生长源气流，对台阶流生长模式的影响小，有利于降低外延片缺陷密度，低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果，有利于修复衬底表面缺陷、提升外延层的结晶质量，从而为下一轮高速生长过程提供良好表面作为基础，能进一步减少外延片缺陷。
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公开(公告)号：CN114507900B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
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公开(公告)号：CN114934263A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114512574A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
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