公开(公告)号：CN1804114A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN1804114B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN102737957B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210090806.5

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤笃史 ,  黑川昌毅 ,  入宇田启树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67309 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。

公开(公告)号：CN101118841A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710140224.2

申请日：2007-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上久司 ,  远藤笃史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向延伸。在上述反应管的上述壁的侧部上形成多个气体喷出孔，该气体喷出孔在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向排列，并且与上述气体供给管路连通。将处理气体供给上述处理区域的气体供给系统，经由上述气体供给管路和上述多个气体喷出孔与上述气体供给管路的底部连接。

公开(公告)号：CN1763915A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510112808.X

申请日：2005-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  远藤笃史 ,  西村俊治 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。

公开(公告)号：CN102534549B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110457396.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  久保万身

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。

公开(公告)号：CN103031530A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN102737957A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210090806.5

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤笃史 ,  黑川昌毅 ,  入宇田启树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67309 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。

公开(公告)号：CN102534549A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110457396.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  久保万身

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。

公开(公告)号：CN112956003B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980071967.X

申请日：2019-10-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木悠介 ,  守屋刚 ,  长谷部一秀 ,  远藤笃史 ,  田中谕志

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。