气体分析装置及气体分析方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116569022A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202180080365.8

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压,气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析,并具备:气体池,其导入有材料气体或副生成气体;激光光源,其向气体池照射经波长调制的激光;光检测器,其检测透过气体池的激光;以及信号处理部,其使用由光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出卤化物的浓度或分压,气体池减压至比大气压小的预定的压力,激光光源在包含卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。

    材料气体浓度控制装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101760727A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200910208804.X

    申请日:2009-10-29

    Abstract: 一种材料气体浓度控制装置,用于材料气化系统,所述材料气化系统包括贮槽,收纳材料;导入管,将使被收纳的材料气化的载气导入所述贮槽;及导出管,从所述贮槽中导出材料气化而成的材料气体及所述载气的混合气体;所述材料气体浓度控制装置包括基体,具有连接于所述导出管,以使所述混合气体流动的内部流路;浓度测量部,对在所述内部流路中流动的混合气体中的材料气体的浓度进行测量;及第1阀,在所述内部流路中设置在所述浓度测量部的下游,对由所述浓度测量部测量的测量浓度进行调节;且所述浓度测量部及所述第1阀安装在所述基体上。

    材料气体浓度控制装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101760727B

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN200910208804.X

    申请日:2009-10-29

    Abstract: 一种材料气体浓度控制装置,用于材料气化系统,所述材料气化系统包括贮槽,收纳材料;导入管,将使被收纳的材料气化的载气导入所述贮槽;及导出管,从所述贮槽中导出材料气化而成的材料气体及所述载气的混合气体;所述材料气体浓度控制装置包括基体,具有连接于所述导出管,以使所述混合气体流动的内部流路;浓度测量部,对在所述内部流路中流动的混合气体中的材料气体的浓度进行测量;及第1阀,在所述内部流路中设置在所述浓度测量部的下游,对由所述浓度测量部测量的测量浓度进行调节;且所述浓度测量部及所述第1阀安装在所述基体上。

    DCR气体用吸光分析装置、方法及存储分析程序的存储介质

    公开(公告)号:CN115128000A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210271897.6

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明提供一种即使是由吸收光谱重叠的DCR气体与CO气体构成的混合气体,也能够仅分离DCR气体的吸光度而计算出其浓度的DCR气体用吸光分析装置,DCR气体用吸光分析装置具备:DCR用滤光器(31),其使包含DCR气体的吸收峰的第一波数范围的光透过;CO用滤光器(32),其使处于CO气体的吸收波数范围且与所述第一波数范围不同的第二波数范围的光透过;以及DCR气体量计算器(4),其基于利用透过了所述DCR用滤光器(31)的光而测定的第一吸光度(A1)、以及利用透过了所述CO用滤光器(32)的光而测定的第二吸光度(AC2),计算出所述DCR气体的量。

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