公开(公告)号：CN115128000A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210271897.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场STEC

Inventor： 古屋雄一 ,  田中雅之 ,  坂口有平 ,  南雅和 ,  志水彻

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/3518

Abstract: 本发明提供一种即使是由吸收光谱重叠的DCR气体与CO气体构成的混合气体，也能够仅分离DCR气体的吸光度而计算出其浓度的DCR气体用吸光分析装置，DCR气体用吸光分析装置具备：DCR用滤光器(31)，其使包含DCR气体的吸收峰的第一波数范围的光透过；CO用滤光器(32)，其使处于CO气体的吸收波数范围且与所述第一波数范围不同的第二波数范围的光透过；以及DCR气体量计算器(4)，其基于利用透过了所述DCR用滤光器(31)的光而测定的第一吸光度(A1)、以及利用透过了所述CO用滤光器(32)的光而测定的第二吸光度(AC2)，计算出所述DCR气体的量。

公开(公告)号：CN110735124A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910640099.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋雄一 ,  田中雅之

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置、原料供给装置以及成膜方法，能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体，来在基板上形成膜，所述成膜装置具备：原料容器，其用于收容所述低蒸气压原料，并对该低蒸气压原料进行加热；第一气体配管，其用于向所述原料容器供给所述载气；第二气体配管，其用于将所述原料容器与所述处理容器连接；开闭阀，其设置于所述第二气体配管；以及测定部，其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量，其中，所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上，所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。

公开(公告)号：CN111508869A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010078725.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸟屋大辅 ,  古屋雄一 ,  藤里敏章

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。

公开(公告)号：CN113774355A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110614529.2

申请日：2021-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 反田雄太 ,  齐藤哲也 ,  大仓成幸 ,  古屋雄一 ,  原正道

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相向地设置，具有用于喷出从气体供给部供给的包含成膜原料气体的气体的气体喷出区；以及过滤器，其以覆盖气体喷出构件的同与基板载置台相向的相向面相反一侧的面的至少气体喷出区的方式设置，所述过滤器使包含成膜原料气体的气体通过来捕获包含成膜原料气体的气体中的微粒。

公开(公告)号：CN110016654A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811516405.5

申请日：2018-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋雄一 ,  森宏将 ,  津田荣之辅 ,  小森荣一 ,  木元大寿

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种能够使多个托盘内的原料的消耗量之差减小的原料容器。一实施方式的原料容器具备壳体、托盘组件以及多个筒状构件。壳体提供载气的导入口、和开口，含有原料的蒸气的气体从该开口输出。托盘组件包括多个托盘。多个托盘叠置于壳体中。多个筒状构件各自具有圆筒形状。多个筒状构件沿着径向排列于托盘组件与壳体之间。多个筒状构件中的最外侧的筒状构件提供狭缝，其他一个以上的筒状构件各自提供多个狭缝。在从导入口到托盘组件与最内侧的筒状构件之间的间隙为止，载气的流路利用多个筒状构件阶段性地向上方和下方分支。

公开(公告)号：CN108231626A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711395621.4

申请日：2017-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 挂川崇 ,  古屋雄一 ,  鸟屋大辅

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置包括：将处理气体以喷淋状喷出到基板(W)的气体扩散板(35)；设置在气体扩散板的上方侧，沿着周向分别形成有多个气体排出口(43)的多个气体分散部(41)；和上游侧形成各气体分散部共用的共用流路，下游侧与各气体分散部连接，并且从共用流路至各气体分散部(41)的长度相互一致的处理气体的流路(5)。气体分散部(41)俯视时沿着中心分别绕该扩散空间(36)的中心部设置且沿扩散空间(36)的周向设置的多个第一圆配置，且在每一个第一圆上以与扩散空间的中心部的距离相互不同的方式配置有多个。由此，能够在该基板的面内进行均匀性高的处理。

公开(公告)号：CN111508869B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202010078725.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸟屋大辅 ,  古屋雄一 ,  藤里敏章

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。

公开(公告)号：CN110835751B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201910757828.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木元大寿 ,  古屋雄一 ,  挂川崇 ,  小森荣一 ,  藤田英明 ,  森宏将

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提高一种阀装置、处理装置、以及控制方法，缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。阀装置具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体，使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体，隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部，以便将壳体加热成第1温度。另外，控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热，控制供给部，以便向第2流路供给制冷剂。

公开(公告)号：CN109504952B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201811050750.4

申请日：2018-09-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八木宏宪 ,  掛川崇 ,  山口克昌 ,  古屋雄一 ,  孟贤男

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体，所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连接并且能够对所述缓冲罐内进行排气的排气线以及设置于所述排气线的第二高速开闭阀。

公开(公告)号：CN109504952A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811050750.4

申请日：2018-09-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八木宏宪 ,  掛川崇 ,  山口克昌 ,  古屋雄一 ,  孟贤男

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体，所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连接并且能够对所述缓冲罐内进行排气的排气线以及设置于所述排气线的第二高速开闭阀。