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公开(公告)号:CN101365823B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200780002035.7
申请日:2007-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 掛川崇
IPC: C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/34 , C23C16/45523 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种成膜装置,其特征在于,包括:腔室,其区分用于对基板实施成膜处理的处理空间;平台,其设置于上述腔室内,用于载置上述基板;基板用加热单元,其设置于上述平台上,用于对上述基板进行加热;喷头,其与上述平台相对设置,且具有多个气体喷出孔;气体供给机构,其通过上述喷头向上述腔室内供给处理气体;冷却单元,其设置于上述喷头的上方,对该喷头进行冷却;和喷头用加热单元,其设置于上述冷却单元的上方,隔着该冷却单元对上述喷头进行加热。
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公开(公告)号:CN101365823A
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200780002035.7
申请日:2007-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 掛川崇
IPC: C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/34 , C23C16/45523 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种成膜装置,其特征在于,包括:腔室,其区分用于对基板实施成膜处理的处理空间;平台,其设置于上述腔室内,用于载置上述基板;基板用加热单元,其设置于上述平台上,用于对上述基板进行加热;喷头,其与上述平台相对设置,且具有多个气体喷出孔;气体供给机构,其通过上述喷头向上述腔室内供给处理气体;冷却单元,其设置于上述喷头的上方,对该喷头进行冷却;和喷头用加热单元,其设置于上述冷却单元的上方,隔着该冷却单元对上述喷头进行加热。
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公开(公告)号:CN109504952B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN201811050750.4
申请日:2018-09-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体,所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连接并且能够对所述缓冲罐内进行排气的排气线以及设置于所述排气线的第二高速开闭阀。
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公开(公告)号:CN109504952A
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201811050750.4
申请日:2018-09-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体,所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连接并且能够对所述缓冲罐内进行排气的排气线以及设置于所述排气线的第二高速开闭阀。
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公开(公告)号:CN3657443D
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200630131105.7
申请日:2006-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品是在半导体基板上进行成膜处理时所使用的气
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公开(公告)号:CN3657444D
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200630131107.6
申请日:2006-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品是在半导体基板上进行成膜处理时所使用的气
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公开(公告)号:CN3657442D
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200630131104.2
申请日:2006-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品是在半导体基板上进行成膜处理时所使用的气
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公开(公告)号:CN3652230D
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200630131108.0
申请日:2006-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品是在半导体基板上进行成膜处理时所使用的气
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公开(公告)号:CN3652229D
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200630131106.1
申请日:2006-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 右视图与左视图对称,故省略右视图。
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