-
公开(公告)号：CN1804114A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510092786.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社堀场制作所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。
-
公开(公告)号：CN1804114B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200510092786.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社堀场制作所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。
-
公开(公告)号：CN101325160B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810142874.5
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。
-
公开(公告)号：CN101096755B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200710126883.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/30 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜，在从所述反应室卸载所述被处理基板后，进行下一工序。首先，对附着在所述反应室的所述内面的副生成物膜进行氮化，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内。接着，通过将所述反应室的所述内面从上述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后所述副生成物膜龟裂。通过对所述反应室内进行强制排起，排出由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分。
-
公开(公告)号：CN101440482A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810179942.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/45519 , H01L21/3185
Abstract: 一种薄膜形成装置及其使用方法，用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，用来除去堆积到从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序进行清洁处理，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体并活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101413111A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810167961.6
申请日：2008-10-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23F4/00 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/0218 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45542 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32522
Abstract: 本发明提供一种用于在反应室内从第一喷嘴供给成膜反应性气体而在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，在上述反应室内没有收纳上述被处理基板的状态下，依次进行：一边向上述反应室内供给对上述副生成物膜进行蚀刻的清洁反应性气体并进行活性化一边蚀刻上述副生成物膜的蚀刻工序；和停止上述清洁反应性气体的供给并对上述反应室内进行排气的排气工序，从而进行清洁处理，由此除去堆积在上述反应室内和上述第一气体分散喷嘴内的副生成物膜，在此，上述蚀刻工序使用供给上述反应室内的上述清洁反应性气体向上述第一气体分散喷嘴中流入的条件。
-
公开(公告)号：CN101713067B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910179605.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/455 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。在立式批量型CVD装置中，成膜方法构成为反复多次循环并将每次循环形成的薄膜进行层叠。循环是交替地进行以下工序：吸附工序，其用于使原料气体吸附在被处理基板的表面上；以及反应工序，其用于使反应气体与吸附原料气体发生反应。吸附工序构成为一边保持切断反应气体的供给一边隔着停止对处理区域供给原料气体的中间子工序来进行多次对处理区域供给原料气体的供给子工序。反应工序构成为一边保持切断原料气体的供给一边对处理区域连续供给反应气体。
-
公开(公告)号：CN101325160A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810142874.5
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。
-
公开(公告)号：CN101096755A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126883.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/30 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜，在从所述反应室卸载所述被处理基板后，进行下一工序。首先，对附着在所述反应室的所述内面的副生成物膜进行氮化，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内。接着，通过将所述反应室的所述内面从上述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后所述副生成物膜龟裂。通过对所述反应室内进行强制排起，排出由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分。
-
公开(公告)号：CN101481794B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200910000223.7
申请日：2009-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体处理的成膜方法和装置。其在能够有选择性地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体的处理区域内，进行在被处理基板上形成氮化硅膜的成膜处理。成膜处理由主阶段和辅助阶段构成，辅助阶段设定在成膜处理的初期和末期中的一方或者双方。主阶段具有利用激励机构将第二处理气体在已被激励的状态下供给到处理区域的激励期间。辅助阶段不具有利用激励机构将第二处理气体在已被激励的状态下供给到处理区域的激励期间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.033 seconds)
