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公开(公告)号：CN116569022A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080365.8
申请日：2021-11-22
Applicant: 株式会社堀场STEC , 株式会社堀场制作所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，其导入有材料气体或副生成气体；激光光源，其向气体池照射经波长调制的激光；光检测器，其检测透过气体池的激光；以及信号处理部，其使用由光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出卤化物的浓度或分压，气体池减压至比大气压小的预定的压力，激光光源在包含卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。
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公开(公告)号：CN101760727A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910208804.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/448 , C23C16/52
CPC classification number: G05D11/139 , C23C16/4482 , C30B25/14 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509
Abstract: 一种材料气体浓度控制装置，用于材料气化系统，所述材料气化系统包括贮槽，收纳材料；导入管，将使被收纳的材料气化的载气导入所述贮槽；及导出管，从所述贮槽中导出材料气化而成的材料气体及所述载气的混合气体；所述材料气体浓度控制装置包括基体，具有连接于所述导出管，以使所述混合气体流动的内部流路；浓度测量部，对在所述内部流路中流动的混合气体中的材料气体的浓度进行测量；及第1阀，在所述内部流路中设置在所述浓度测量部的下游，对由所述浓度测量部测量的测量浓度进行调节；且所述浓度测量部及所述第1阀安装在所述基体上。
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公开(公告)号：CN102156489B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201010601694.6
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: G05D11/02
CPC classification number: G05D11/138 , Y10T137/0396 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708 , Y10T137/7736
Abstract: 本发明的材料气体浓度控制系统是用于材料气化系统(100)，此材料气体浓度控制系统具备：第1阀(23)，设于所述导出管(12)上；浓度测定部(CS)，测定所述混合气体中的所述材料气体的浓度；浓度控制部(CC)，控制所述第1阀(23)的开度，以使得由所述浓度测定部(CS)所测定的所述材料气体的测定浓度达到预定的设定浓度；调温器(41)，对所述储罐内的温度进行调温，以使其达到设定温度；以及温度设定部(42)，设定所述调温器的设定温度。本发明还提供了材料气体流量控制系统及材料气体浓度控制系统用程序。
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公开(公告)号：CN101724828B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910208803.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/52
CPC classification number: G05D11/132 , Y10T137/0396 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708
Abstract: 一种材料气体浓度控制系统，用于材料气化系统中，所述材料气化系统包括收纳材料的贮槽、将使所收纳的材料气化的载气导入至所述贮槽内的导入管、以及将气化而成的材料气体及所述载气的混合气体从所述贮槽内导出的导出管，所述材料气体浓度控制系统包括设置于所述导出管上的第1阀、测量所述混合气体中的材料气体的浓度的浓度测量部、以及对所述第1阀的开度进行控制，以使所述浓度测量部所测量的材料气体的测量浓度达到预定的设定浓度的浓度控制部。
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公开(公告)号：CN101724828A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208803.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/52
CPC classification number: G05D11/132 , Y10T137/0396 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708
Abstract: 一种材料气体浓度控制系统，用于材料气化系统中，所述材料气化系统包括收纳材料的贮槽、将使所收纳的材料气化的载气导入至所述贮槽内的导入管、以及将气化而成的材料气体及所述载气的混合气体从所述贮槽内导出的导出管，所述材料气体浓度控制系统包括设置于所述导出管上的第1阀、测量所述混合气体中的材料气体的浓度的浓度测量部、以及对所述第1阀的开度进行控制，以使所述浓度测量部所测量的材料气体的测量浓度达到预定的设定浓度的浓度控制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101760727B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN200910208804.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/448 , C23C16/52
CPC classification number: G05D11/139 , C23C16/4482 , C30B25/14 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509
Abstract: 一种材料气体浓度控制装置，用于材料气化系统，所述材料气化系统包括贮槽，收纳材料；导入管，将使被收纳的材料气化的载气导入所述贮槽；及导出管，从所述贮槽中导出材料气化而成的材料气体及所述载气的混合气体；所述材料气体浓度控制装置包括基体，具有连接于所述导出管，以使所述混合气体流动的内部流路；浓度测量部，对在所述内部流路中流动的混合气体中的材料气体的浓度进行测量；及第1阀，在所述内部流路中设置在所述浓度测量部的下游，对由所述浓度测量部测量的测量浓度进行调节；且所述浓度测量部及所述第1阀安装在所述基体上。
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公开(公告)号：CN102156489A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010601694.6
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: G05D11/02
CPC classification number: G05D11/138 , Y10T137/0396 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708 , Y10T137/7736
Abstract: 本发明的材料气体浓度控制系统是用于材料气化系统(100)，此材料气体浓度控制系统具备：第1阀(23)，设于所述导出管(12)上；浓度测定部(CS)，测定所述混合气体中的所述材料气体的浓度；浓度控制部(CC)，控制所述第1阀(23)的开度，以使得由所述浓度测定部(CS)所测定的所述材料气体的测定浓度达到预定的设定浓度；调温器(41)，对所述储罐内的温度进行调温，以使其达到设定温度；以及温度设定部(42)，设定所述调温器的设定温度。本发明还提供了材料气体流量控制系统及材料气体浓度控制系统用程序。
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公开(公告)号：CN1804114A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510092786.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社堀场制作所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。
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公开(公告)号：CN1804114B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200510092786.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社堀场制作所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。
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公开(公告)号：CN117747492A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311223043.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供一种气体分析装置、流体控制系统、存储有气体分析用程序的存储介质、气体分析方法。气体分析装置具备：第一浓度计算部，计算工艺气的浓度；第二浓度计算部，计算至少在与生成工艺气的主反应不同的反应即副反应中生成的副产气体的浓度；比较部，将由第一浓度计算部计算出的工艺气的浓度即第一实际浓度与主反应理想地进行的情况下的工艺气的浓度即第一理想浓度进行比较，并且将由第二浓度计算部计算出的副产气体的浓度即第二实际浓度与主反应理想地进行的情况下的工艺气的浓度即第二理想浓度进行比较；以及输出部，基于比较部的比较结果，判断并输出对构成流体控制系统的设备设定的参数中的、应该变更设定值的参数即变更对象参数。
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